基于PCBM和PFBO-C12的三元共混物的混合畴间距(χ)从二元膜的43.0降低到38.1和35.9nm。基于PFBO-C12的共混物的更高域纯度将能够更有效地分离电荷并抑制电荷复合,这可能是优异的FF和PCE的主要原因。 通过光物理实验研究三种全PSC之间能量损失,两种三元器件都表现出较小的ΔE3,PM6:PY-V-γ、PM6:PYV-γ:PCBM和...
基于PFBO-C12的柔性器件在1mm的弯曲半径(r)下没有显示出明显的断裂,这表明了PFBO-C12中引入后的固有韧性(图5e–h),进一步测试三组全PSC的弯曲耐久性(图5d),基于PM6:PY-V-γ:PFBO-C12的全PSC在1000次弯曲循环后保持了90%以上的初始PCE,优于其他两种类型的器件。这种良好的机械性能主要归因于PFBO-C12聚合...
基于PCBM和PFBO-C12的三元共混物的混合畴间距(χ)从二元膜的43.0降低到38.1和35.9nm。基于PFBO-C12的共混物的更高域纯度将能够更有效地分离电荷并抑制电荷复合,这可能是优异的FF和PCE的主要原因。 通过光物理实验研究三种全PSC之间能量损失,两种三元器件都表现出较小的ΔE3,PM6:PY-V-γ、PM6:PYV-γ:PCBM和...