参数优化带来的不仅是工艺改进,更催生新的应用场景。某光伏龙头企业通过智慧芽专利分析">专利分析工具,发现等离子体清洗参数与钝化效果的关联性专利空白,成功开发出新一代异质结电池技术,将转换效率提升1.2个百分点。 FAQ: 如何通过专利分析">专利分析发现PECVD参数优化方向? 通过智慧芽研发情报库的专利聚类功能,可快速识别高频出现
PECVD工艺参数优化 摘要:利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积给定折射率的氮化硅薄膜,通过正交实验法对衬底温度、NH3流量和射频功率3个对氮化硅薄膜沉积速率影响较大的工艺参数进行全局优化和调整,得到了氮化硅镀膜的最优工艺参数。 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的氮化硅薄膜作为理想的减反射膜,具有很好的表面...
影响PECVD的工艺参量 （1）工作频率、功率PECVD工艺是利用微波产生等离子体实现氮化硅薄膜沉积。微波一般工作频率为2.45GHz，功率范围为2600W—3200W。高频电磁场激励下，反应气体激活，电离产生高能电子和正负离子，同时发生化学沉积反应。功率，频率是影响氮化硅薄膜生长的重要因素，其功率和频率调整不好，会生长一些有...
制成μc-Si:H薄膜的主要参数是H2的稀释度、适中的RF射频功率和较高的沉积压强,通过优化这些参数,来提高结晶率Xc,并优化其性能特征。 RF射频功率对微晶硅薄膜的厚度、沉积速率、表面粗糙度以及晶化率Xc的影响 我们通过对在PECVD反应器中以200℃的温度下,用不同RF射频功率(20、25、30、35、40、45W)沉积30分钟后...
PECVD(等离子体增强化学气相沉积)的关键工艺参数包括以下几个方面: 一、反应气体流量 反应气体流量直接决定了参与沉积反应的化学物质的量。例如,在沉积氮化硅薄膜时,硅烷(SiH₄)和氨气(NH₃)是常用的反应气体。如果硅烷流量增加,在其他条件不变的情况下,会使薄膜中硅元素的含量相对增加,可能会导致薄膜的折射率升高...
PECVD工艺参数对薄膜制备的影响 本底真空/衬底温度 （其它影响因素：射频功率、气体稀释比（H2：SiH4）、气体压强等）让不可能成为可能 MakingtheIMPOSSIBLEpossible 目录 1本底真空对薄膜制备的影响 2衬底温度对薄膜制备的影响 3衬底温度对薄膜性能影响的两篇报道和规律总结 让不可能成为可能 MakingtheIMPOSSIBLEpossible ...
需要金币:*** 金币(10金币=人民币1元) pecvd目的原理工艺参数.pptx 关闭预览 想预览更多内容,点击免费在线预览全文 免费在线预览全文 VIP免费下载 下载文档 收藏 分享赏 0 下载提示 1、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
管式PECVD工艺参数 工艺气体配方名称layerSiH4/sccmNH3/slpm实验216舟240舟firstsecondfirstsecondfirstsecond7806007807807807804.363.56.83.56.8806008063080620时间/S 工艺压力/mtorr1700150015001500 射频电源功率/W4700565056506450ON/ms555OFF/ms505050 1层AB 78078035004300 比例5.4594026.707265 2层 78060068006000 比例10....
PECVD工艺参数对二氧化硅薄膜致密性的影响 描述 背景二氧化硅薄膜具有硬度大、防腐蚀性、耐潮湿性和介电性能强等优点,因此二氧化硅薄膜在半导体行业中可以用作器件的保护层、钝化层、隔离层等。 PECVD即等离子体增强化学的气相沉积法是借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性...
摘要:研究了在真空与氮气两种环境中不同的退火温度和退火时间对氮化膜薄膜性能影响,测试了退火后氮化硅薄膜的膜厚、折射率、少子寿命以及电性能参数。结果表明,多晶硅管式PECVD真空退火环境优于氮气,并确定当退火温度在450℃、退火时间20min时,工艺参数最佳。当温度过高过低均不利于膜厚的增加也不利于形成良好的欧姆接...