PECVD技术的工艺原理是,利用RF、阴极放电等方法使反应物分子激活, 成为具有高活性的等离子体,而受激活的分子在低温、甚至室温下都可以发生化 学反应。因此,PECVD技术的工艺特征是淀积温度低、淀积速率高。由于反应 物分子受到等离子体离子和电子轰击而具有很好可动性,因此PECVD技术具有 淀积薄膜附着性好、台阶
PECVD特点:将气体分子激活成活性离子,相对降低反应所需的温度;加速反应物在表面的扩散作用(表面迁移),提高成膜速率;对于膜层表面具有溅射作用,溅射掉那些结合不牢的粒子,加强了薄膜和基板的附着力;反应物中的原子、分子、离子和电子之间的碰撞散射作用,使形成的薄膜比较均匀。 PECVD优点:沉积温度低:PECVD可以在相对较...
其工作原理是利用射频或微波能量,在真空反应室中产生辉光放电,进而形成等离子体。这些等离子体中的高能电子与反应气体分子发生碰撞,使其激发、离解或电离,生成活性很高的各种化学基团。这些化学基团相互反应,最终在衬底上形成薄膜。 与传统...
PECVD工艺需要一个具有产生等离子体能力的等离子体反应腔体。一般采用的反应腔体有平板状腔体、圆柱腔体和圆筒形腔体等。其中,平板状腔体是最常见的设计,由两块平行的金属电极和绝缘材料构成。电极上加上高频电压,产生等离子体区域,通过给气体供给能量,使其发生等离子体化,然后进一步与基底反应,形成薄膜。 二、材料选择:...
2PECVD设备的基本结构 2.1PECVD工艺的基本原理 PECVD技术是在低气压下,利用低温等离子体在工艺腔体的阴极上(即样品放置的托盘)产生辉光放电,利用辉光放电(或另加发热体)使样品升温到预定的温度,然后通入适量的工艺气体,这些气体经一系列化学反应和等离子体反应,最终在样品表面形成固态薄膜。其工艺原理示意图如图1所示。
工作原理: PECVD利用等离子体激活反应气体,在低温下实现薄膜沉积。具体来说,通过射频或微波能量将反应气体电离成等离子体,产生高活性自由基和离子,这些活性基团在基片表面发生化学反应,形成固态薄膜。 工艺原理: 反应气体(如硅烷、氨气等)被引入真空腔室。 外加电场激发气体电离,形成等离子体。 活性基团在基片表面吸附并...
该工艺原理基于以下几个步骤: 1.基底清洗:将基底材料,例如玻璃或硅片,通过酸洗和溶剂清洗等步骤,去除表面的污染物和氧化层,确保基底表面干净。 2.载气流动:在PECVD工艺中,载气(通常是氢气或氩气)被引入反应室中,形成气流,用来携带腔内产生的反应物质,并帮助在基底表面上进行反应。 3.前驱体输送:通过从不同的前驱...
一、异质结PECVD工艺原理 异质结PECVD工艺是一种利用等离子体增强化学气相沉积技术制备异质结薄膜的方法。在这个过程中,基片被放入PECVD反应室中,并在真空环境下加热至适当温度(通常在200到400摄氏度之间)。然后,向反应室中通入惰性气体,如氩气或氮气,以控制反应中的压力。接着,通过施加高频电...
PECVD工艺流程 1. 基底准备 将需要进行镀膜的基底进行清洗和 干燥,以去除表面的污垢和水分。 2. 放入反应气体 将反应气体如硅烷、氮气、氧气等 通入反应室中。 3. 辉光放电 在反应室内施加高压电场,引发辉 光放电,产生等离子体。 4. 化学反应 在辉光放电产生的等离子体作用下, 反应气体分子被激活,发生化学反应...