金融界2023年11月25日消息，据国家知识产权局公告，深圳市一博科技股份有限公司申请一项名为“一种提高电源网络PDN阻抗仿真效率的方法“，公开号CN117113921A，申请日期为2023年7月。专利摘要显示，本发明涉及一种方法，它将集成在负载芯片内的所有电容模型提取至负载端口外部，在PDN曲线优化过程中，实现对每个电容端口的...
仿真模型 - PCB特性影响电源分配网络(PDN)性能-电源分配网络(PDN)的基本设计规则告诉我们,最好的性能源自一致的、与频率无关的(或平坦)的阻抗曲线。这是电源稳定性非常重要的一个理由,因为稳定性差的电源会导致阻抗峰值,进而劣化平坦的阻抗曲线,以及受电电路的性能
摘要 介绍了PDN自阻抗的特点、单端口网络分析法测量PDN自阻抗的局限及双端口网格分析法的原理、具体应用等,并给出了六层、十层PCB板的仿真与测试结果。结果表明:用双端口网格分析法的阻抗测试结果在1 GHz以下的频段内具有较好的准确性。 关键词 电源完整性;电源分配网络;目标阻抗;S参数;不确定度 Abstract The char...
专利摘要:本发明涉及一种提高电源网络PDN阻抗仿真效率的方法,提出所有电容端口,生成包含有多个电容端口的多端口s参数文件,与负载芯片端口的s参数组成多端口级联模型,以等效电源网络;在电容端口进行更迭替换,以优化PDN阻抗。本发明将集成在负载芯片内的所有电容模型提取至负载端口外部,在PDN曲线优化过程中,实现对每个电容端...
本发明公开了基于CPS协同仿真的微系统PDN去耦网络优化方法,包括如下过程:建立芯片VCC的ECPM模型;提取TSV硅基板PDN的S参数模型,管壳PDN的S参数模型和PCB板PDN的S参数模型;根据所述芯片VCC的ECPM模型,TSV硅基板PDN的S参数模型,管壳PDN的S参数模型和PCB板PDN的S参数模型搭建PDN全路径分析电路;在所述PDN全路径分析电路...
1.本发明属于微系统仿真和优化领域,具体涉及基于cps协同仿真的微系统pdn去耦网络优化方法。 背景技术: 2.特征尺寸缩小在芯片性能的提升中占的比重越来越小,采用先进封装的三维集成微系统技术成为电子系统的重要发展方向。基于tsv硅基板、管壳、垂直堆叠组装等工艺,将不同工艺节点、不同材质、不同功能的芯片集成在一个...
金融界2023年11月25日消息,据国家知识产权局公告,深圳市一博科技股份有限公司申请一项名为“一种提高电源网络PDN阻抗仿真效率的方法“,公开号CN117113921A,申请日期为2023年7月。 专利摘要显示,本发明涉及一种方法,它将集成在负载芯片内的所有电容模型提取至负载端口外部,在PDN曲线优化过程中,实现对每个电容端口的s参...
金融界2023年11月25日消息,据国家知识产权局公告,深圳市一博科技股份有限公司申请一项名为“一种提高电源网络PDN阻抗仿真效率的方法“,公开号CN117113921A,申请日期为2023年7月。 专利摘要显示,本发明涉及一种方法,它将集成在负载芯片内的所有电容模型提取至负载端口外部,在PDN曲线优化过程中,实现对每个电容端口的s参...
PCB特性影响电源分配网络(PDN)性能-电源分配网络(PDN)的基本设计规则告诉我们,最好的性能源自一致的、与频率无关的(或平坦)的阻抗曲线。这是电源稳定性非常重要的一个理由,因为稳定性差的电源会导致阻抗峰值,进而劣化平坦的阻抗曲线,以及受电电路的性能。
金融界2023年11月25日消息,据国家知识产权局公告,深圳市一博科技股份有限公司申请一项名为“一种提高电源网络PDN阻抗仿真效率的方法“,公开号CN117113921A,申请日期为2023年7月。专利摘要显示,本发明涉及一种方法,它将集成在负载芯片内的所有电容模型提取至负载端口外