PD57018TR-E 功率MOSFET PowerSO-10RF 图像仅供参考 请参阅产品规格 图片丝印不一定为本产品 对比推荐 制造商编号PD57018TR-E 制造商ST(意法半导体) 唯样编号A-PD57018TR-E 供货自营 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 TRANSISTOR RF POWERSO-10 数据手册发送到邮箱...
¥[1_7ij1w4tp#51#CQkJCQRbpVcCXz1d8UdrWyFYdlshaPlbE1ZqUTFW10YBVXxbO1e/] SN74F244DWR『IC BUF NON-INVERT 5.5V 20SOIC』 现货 ¥[1_7ij1w4tp#51#JycnJypyNHffee10aHcZdmZx7n28dBV8zHJoRpl/YEfKfvBGQnC5fkVHnnb1dQ9Gcn8OeU142nxBaYB1UX+NfTV4L3XDd+h2mnnOeBx0J3dVce54j2kRdRV7aHqKc...
用户评价 参数信息 品牌 ruosong 图文详情 本店推荐 62451-022LLF『C/F HDR TOP MOUNT』 现货 ¥2.0 国外订货下单链接 ¥30.0 万能链接 ¥406.8 AS3701B-BWLM-02『IC PMU CHARGER WLP』 现货 ¥2.0 4410『LIPOLY BATTERY CHARGER W/USB C』 现货 ¥0.85 DTE6-2RN『SWITCH SNAP ACTION DPDT 10A...
PD57018TR-E由ST(意法半导体)设计生产,立创商城现货销售。PD57018TR-E价格参考￥141.42。ST(意法半导体) PD57018TR-E参数名称:漏源电压(Vdss):65V;连续漏极电流(Id):2.5A;耗散功率(Pd):18W;阈值电压(Vgs(th)):2V。下载PD57018TR-E中文资料、引脚图、Datasheet数据
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 PD57018TR-E、 ST、 TO-59 商品图片 商品参数 品牌: ST 封装: TO-59 批号: 22+ 数量: 1800 制造商: STMicroelectronics 产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET) RoHS: 是 晶体管极性: N-Channel Id-...
商标 STMicroelectronics 通道模式 Enhancement 湿度敏感性 Yes Pd-功率耗散 31.7 W 产品类型 RF MOSFET Transistors 工厂包装数量 600 子类别 MOSFETs Vgs - 栅极-源极电压 20 V 单位重量 3 g 商品其它信息 优势价格,PD57018TR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。推荐...
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