综上所述，PD55003L-E是一款性能优异、适用于多种射频应用的N-Channel增强型射频功率晶体管。如需更多详细信息或技术规格，建议直接访问意法半导体官方网站或联系相关供应商进行咨询。
功率耗散(Pd):14W 栅极-源极电压(Vgs):15V 封装类型:表面贴装(SMD/SMT) 引脚数:8 单位重量:3g 三、产品特点 出色的热稳定性:适用于各种高温环境。 优异的线性度:使PD55003L-E成为车载移动无线电等应用的理想选择。 创新的无引线塑料封装:PowerFLAT™封装技术提供了良好的电气性能和机械可靠性。 静电放电(ES...
PD55003L-E ST Microelectronics (意法半导体) MOS管 STMICROELECTRONICS PD55003L-E 晶体管, 射频FET, 40 V, 2.5 A, 14 W, 480 MHz, 520 MHz, SMD查看详情 SMD-8 11周 在产 2005年 ¥48.365 数据手册(6) 器件3D模型 规格参数 代替型号 (7)...
PD55003L-E品牌厂家:ST,所属分类:晶体管-FET,MOSFET-射频,可在锐单商城现货采购PD55003L-E、查询PD55003L-E代理商; PD55003L-E价格批发咨询客服;这里拥有PD55003L-E中文资料、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到PD55003L-E替代型号、PD55003L...
产品概述 描述 The PD55003L-E is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broadband commercial and industrial application. It operates at 12 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. PD55003L-E boasts...
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发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 PD55003L-E、 STM、 PowerFLAT鈩?(5x5) 商品图片 商品参数 品牌: STM 封装: PowerFLAT鈩?(5x5) 批号: 21+ 数量: 5000 制造商: STMicroelectronics 产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET) RoHS: 是 晶体...
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商品关键词 PD55003L-E、 ST/意法半导体 商品图片 商品参数 品牌: ST/意法半导体 数量: 6203 制造商: STMicroelectronics 产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET) RoHS: 是 晶体管极性: N-Channel Id-连续漏极电流: 2.5 A Vds-漏源极击穿电压: 40 V 增益: 17 dB 输出功率: 3...
PD55003L-E,意法半导体(ST)RF场效应管,意法半导体ST代理商能实时提供PD55003L-E的报价和技术资料下载,是国内能长期供应PD55003L-E的ST代理商之一.