型号: PD20010-E MOS管ST电源IC 原装现货 封装: SMD 批号: 2205+ 数量: 1860 制造商: STMicroelectronics 产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RoHS: 是 晶体管极性: N-Channel 技术: Si Id-连续漏极电流: 5 A Vds-漏源极击穿电压: 40 V 增益: 11 dB 输出功率: 1
PD20010-E Stock ModelInformation goods HOT SEARCH:SIL169CTG100 Online orderAddress:Home > Online order Part No.MFGD/CQTYPackingPackageNote PD20010-EST16+434PowerSO-10RF (Formed Lead)射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Part No.MFGD/CQTYPackagingPackage...
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PD20010-E,ST(意法半导体)产品一站式供应商。 基本参数: 电子零件型号:PD20010-E 原始制造厂商:ST(意法半导体) 技术标准参数:TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 射频 点击此处查询PD20010-E的技术规格手册Datasheet(PDF文件) ...
制造商编号 PD20010-E 制造商 ST(意法半导体) 唯样编号 G-PD20010-E 供货 Arrow 代购 无铅情况/RoHs 不符合RoHs 描述分享: 数据手册 PDF资料下载 暂无数据 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了! 参数参数值操作 商品目录 功...
PD20010-E,意法半导体(ST)RF场效应管,意法半导体ST代理商能实时提供PD20010-E的报价和技术资料下载,是国内能长期供应PD20010-E的ST代理商之一.
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PD20010-E 数量:4540 厂商:STMicroelectronics 批号:21+ 封装:原装 只做原装正品 假一罚十STMicroelectronics/意法 购买、咨询产品请填写询价信息 询价型号*数量*批号封装品牌其它要求请确认联系方式,3分钟内即可给您回复 *姓名: *电话: Q Q: *邮箱: 提交询价信息 ...
The PD20010-E is a common source N-Channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broadband commercial and industrial applications. It operates at 13.6 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. PD20010-E boasts the excellent ...
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