•在高造温条件下加工的样品未观察到晶界析出。 实验证明,采用PBF-LB工艺可以加工无裂纹H282。然而,在制造过程中,如果没有建造板加热,就无法在缓解开裂方面取得进展。通过处理、建模和先进的表征观点综合解决这一问题是理解底层开裂机...
•HAYNES®282®(H282)高温合金是一种用于激光束粉末床聚变(PBF-LB)技术的新材料。 •反复热循环下的沉淀和残余应力控制是H282 PBF-LB加工成功的关键。 •将构建平台加热至300°C,并采用新颖的扫描策略,可获得低孔隙率和无微裂纹的材料。 •热等静压使微观结构再结晶,消除气孔并修复微裂纹。 摘要 虽...
•在高造温条件下加工的样品未观察到晶界析出。 实验证明,采用PBF-LB工艺可以加工无裂纹H282。然而,在制造过程中,如果没有建造板加热,就无法在缓解开裂方面取得进展。通过处理、建模和先进的表征观点综合解决这一问题是理解底层开裂机理的关键。 来源:Roadmap for additive manufacturing of HAYNES® 282® super...
基于深度相位重建的复杂激光场强分布矫正技术Deep Phase Retrieval with Complex PBF-LB/M Beamshapes可爱的肚 立即播放 打开App,流畅又高清100+个相关视频 更多5968 9 1:15:11 App 硕士论文:基于Transformer的深度图像复原技术 298 -- 42:46 App 基于GS算法深度迭代展开的相位物体探测技术,Deep Gerchberg–Saxton...
金属3D打印技术在各行业的应用不断加深,针对工业领域大规模批量生产中质量、效率和成本的痛点问题以及PBF-LB/M成形工艺特点, 铂力特 发布可成形铝合金材料BLT-AlAM400,适用于大层厚打印工艺,可实现零部件高效率、低成本的制造需要。 BLT-A... 网页链接
技术参数 品牌：INFINEON 型号：IRLB4132PBF 封装：TO-220AB 批号：18+ 数量：500 类别：分立半导体产品 单 FET，MOSFET 制造商：Infineon Technologies 系列：HEXFET® Product Status：在售 FET 类型：N 通道 漏源电压（Vdss）：30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：78A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，...
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技术参数 品牌: INFINEON 型号: IRLB4132PBF 封装: TO-220AB 批号: 18+ 数量: 500 类别: 分立半导体产品 单 FET,MOSFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® Product Status: 在售 FET 类型: N 通道 漏源电压(Vdss): 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 78A(Tc) ...
上海竹之禾生物技术有限公司 11.25% 苏磊 200万(元) 2022-07-06 上海市闵行区 开业 担任高管 1 序号 企业名称 职务 法定代表人 注册资本 成立时间 地区 状态 1 上海易欣生物科技有限公司 法定代表人 股东 执行董事 马骏原 50万(元) 2013-07-01 上海市金山区 开业 所有任职企业 5 序号 企业名称 职...