如果PA的输入信号带有包络,不同包络信号的幅度将会引起PA温度的变化,进而引起PA特性的不同,使PA产生记忆效应。通常情况下,电热记忆效应只与低于1MHz的包络频率有关,因此,通常把电热记忆效应认为是长时记忆效应。 针对于电热记忆效应,需要对PA进行良好的散热设计,确保PA产生的热量可以良好扩散。 半导体的陷波效应(Semi...
如果PA的输入信号带有包络,不同包络信号的幅度将会引起PA温度的变化,进而引起PA特性的不同,使PA产生记忆效应。通常情况下,电热记忆效应只与低于1MHz的包络频率有关,因此,通常把电热记忆效应认为是长时记忆效应。 针对于电热记忆效应,需要对PA进行良好的散热设计,确保PA产生的热量可以良好扩散。 半导体的陷波效应(Semi...
如果PA的输入信号带有包络,不同包络信号的幅度将会引起PA温度的变化,进而引起PA特性的不同,使PA产生记忆效应。通常情况下,电热记忆效应只与低于1MHz的包络频率有关,因此,通常把电热记忆效应认为是长时记忆效应。 针对于电热记忆效应,需要对PA进行良好的散热设计,确...
如果PA的输入信号带有包络,不同包络信号的幅度将会引起PA温度的变化,进而引起PA特性的不同,使PA产生记忆效应。通常情况下,电热记忆效应只与低于1MHz的包络频率有关,因此,通常把电热记忆效应认为是长时记忆效应。 针对于电热记忆效应,需要对PA进行良好的散热设计,确保PA产生的热量可以良好扩散。 半导体的陷波效应(Semi...
为了减小信号载波变多的PA的记忆效应,可以采取一些措施。例如,优化PA的设计,选择合适的元件和电路结构,以减小延迟效应。另外,可以采用数字补偿技术,通过在信号处理过程中对延迟进行补偿,来减小记忆效应的影响。 信号载波变多的PA的记忆效应是由于内部电路和元件特性导致的延迟效应。这种效应可能会对信号传输产生一定的影响...
PA记忆效应的来源 在4G/5G 通信系统中所使用的是非恒定包络的OFDM信号,如果PA特性随信号包络在变化,则会发生记忆效应。 在PA记忆效应的分析中,一般将包络信号对PA的影响分为三类 [3],分别是: 电记忆效应; 电热记忆效应; 半导体器件陷波效应(Semiconductor Trapping Effects)。
PA记忆效应中0频两侧阻抗不同的推导 Q:下图是公众号文章《5G PA“记忆效应”的现象、形成与消除》,请教一下标记字体怎么理解?为什么0频两侧阻抗不同? 点击跳转《5G PA“记忆效应”的现象、形成与消除》 A:供参考: Q:谢谢。 02 有关寄生电感值计算的讨论 Q:问下我们计算感值用Y参数和Z参数算出来有差异 是...
PA记忆效应中0频两侧阻抗不同的推导 Q:下图是公众号文章《5G PA“记忆效应”的现象、形成与消除》,请教一下标记字体怎么理解?为什么0频两侧阻抗不同? 点击跳转《5G PA“记忆效应”的现象、形成与消除》 A:供参考: Q:谢谢。 02 有关寄生电感值计算的讨论 ...
基于记忆效应(memory effect)的研究是非常重要的,它在许多领域都有应用。其中,G和PA(干涉图案)的研究引起了人们的兴趣。然而,令人惊讶的是,即使对于短时间内接触干涉图案的人来说,他们也会出现“记忆效应”。那么,为什么G PA还会有这种记忆效应呢? 首先,我们需要了解什么是G和PA。G表示干涉图案(Gratings),它通常...
我只说我自己理解的，对不对的，你们自己去判别吧。我觉得记忆效应有两种，一种是阻抗随频率变化引起的，另一种是由管子温度变化引起的。它们的直观反应在，IM产物的不对称。在说下DPD为什么对记忆效应敏感，这主要是由于，DPD算法有没有把这个PA模型考虑成带记忆效应的模型。如果没有考虑的话，那么...