如果PA的输入信号带有包络,不同包络信号的幅度将会引起PA温度的变化,进而引起PA特性的不同,使PA产生记忆效应。通常情况下,电热记忆效应只与低于1MHz的包络频率有关,因此,通常把电热记忆效应认为是长时记忆效应。 针对于电热记忆效应,需要对PA进行良好的散热设计,确保PA产生的热量可以良好扩散。 半导体的陷波效应(S
如果PA的输入信号带有包络,不同包络信号的幅度将会引起PA温度的变化,进而引起PA特性的不同,使PA产生记忆效应。通常情况下,电热记忆效应只与低于1MHz的包络频率有关,因此,通常把电热记忆效应认为是长时记忆效应。 针对于电热记忆效应,需要对PA进行良好的散热设计,确...
如果PA的输入信号带有包络,不同包络信号的幅度将会引起PA温度的变化,进而引起PA特性的不同,使PA产生记忆效应。通常情况下,电热记忆效应只与低于1MHz的包络频率有关,因此,通常把电热记忆效应认为是长时记忆效应。 针对于电热记忆效应,需要对PA进行良好的散热设计,确保PA产生的热量可以良好扩散。 半导体的陷波效应(Semi...
如果PA的输入信号带有包络,不同包络信号的幅度将会引起PA温度的变化,进而引起PA特性的不同,使PA产生记忆效应。通常情况下,电热记忆效应只与低于1MHz的包络频率有关,因此,通常把电热记忆效应认为是长时记忆效应。 针对于电热记忆效应,需要对PA进行良好的散热设计,确保PA产生的热量可以良好扩散。 半导体的陷波效应(Semi...
信号载波变多的功放器（PA）的记忆效应是指在信号载波频率改变时，PA输出的信号会出现一定的延迟效应。这是由于PA的内部电路和元件的特性导致的。当信号载波频率发生变化时，PA内部的电容、电感等元件会对信号产生一定的响应时间。这个响应时间会导致信号的延迟，使得PA输出的信号相对于输入信号存在一定的时间差。这种...
PA记忆效应的来源 在4G/5G 通信系统中所使用的是非恒定包络的OFDM信号,如果PA特性随信号包络在变化,则会发生记忆效应。 在PA记忆效应的分析中,一般将包络信号对PA的影响分为三类 [3],分别是: 电记忆效应; 电热记忆效应; 半导体器件陷波效应(Semiconductor Trapping Effects)。
PA记忆效应中0频两侧阻抗不同的推导 Q:下图是公众号文章《5G PA“记忆效应”的现象、形成与消除》,请教一下标记字体怎么理解?为什么0频两侧阻抗不同? 点击跳转《5G PA“记忆效应”的现象、形成与消除》 A:供参考: Q:谢谢。 02 有关寄生电感值计算的讨论 Q:问下我们计算感值用Y参数和Z参数算出来有差异 是...
PA记忆效应中0频两侧阻抗不同的推导 Q:下图是公众号文章《5G PA“记忆效应”的现象、形成与消除》,请教一下标记字体怎么理解?为什么0频两侧阻抗不同? 点击跳转《5G PA“记忆效应”的现象、形成与消除》 A:供参考: Q:谢谢。 02 有关寄生电感值计算的讨论 ...
基于记忆效应(memory effect)的研究是非常重要的,它在许多领域都有应用。其中,G和PA(干涉图案)的研究引起了人们的兴趣。然而,令人惊讶的是,即使对于短时间内接触干涉图案的人来说,他们也会出现“记忆效应”。那么,为什么G PA还会有这种记忆效应呢? 首先,我们需要了解什么是G和PA。G表示干涉图案(Gratings),它通常...
PA记忆效应的来源 在4G/5G通信系统中所使用的是非恒定包络的OFDM信号,如果PA特性随信号包络在变化,则会发生记忆效应。 在PA记忆效应的分析中,一般将包络信号对PA的影响分为三类 [3],分别是: 电记忆效应; 电热记忆效应; 半导体器件陷波效应(Semiconductor Trapping Effects)。