原装P3004ND5G/ TO-252-4L 30V 16A N+P场 MOS管厂家直营 广东场效应半导体有限公司1年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市龙岗区 ¥1.00 P3004ND5G封装TO-252 MOSFET场效应管 现货库存IC询价 深圳市科诺芯电子有限公司3年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥0.60 P3004ND5G正品液晶背光板
P3004ND5G作为另一款场效应管,具有与WSF4012相似的特性。在考虑替代时,首先需要对比两款器件的参数。如果P3004ND5G的Vds、Vgs和Id等关键参数能够与WSF4012相匹配或优于后者,那么在许多应用中,P3004ND5G可以视为WSF4012的合理替代。然而,需要注意的是,不同厂商生产的场效...
型号 P3004ND5G 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价格,也...
P3004ND5G-VB是一款N+P沟道MOSFET(N沟道和P沟道混合型金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电子应用,包括需要双极性电流承受能力的应用。以下是它的一些主要应用领域:1. 电机驱动:这款MOSFET适用于电机驱动电路,如电动汽车电机驱动、电机控制和工业电机应用。N沟道用于正向电流通路,P沟道用于反向电流通路,可...
Cmos(广东场效应半导体) 商品型号 P3004ND5G 商品编号 C6939785 商品封装 TO-252-4L 包装方式 编带 商品毛重 0.386克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道+1个P沟道 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)16A ...
P3004ND5G优惠阶梯 查看价格阶梯 数量 优惠价格 1+ 1.102 10+ 0.881 50+ 0.867 200+ 0.845 500+ 0.823 1000+ 0.808 配送 深圳市 至 服务 CMOS 发货并提供售后服务。 数量 库存 20000 立即购买 加入购物车 Package: TO-252-4L Type: SMD/MOS Vdss(V): 30 Ids(A): 16 Vth(V): 3...
型号 P3004ND5G-VB 类型 1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss) ±40V 连续漏极电流(Id) ±50A 功率(Pd) 108W 导通电阻 14mΩ@±10V,±38A 阈值电压(Vgs(th)@Id) ±3V@250uA 工作温度 -55+175 封装/规格 TO252-5 包装 编带 最小包装量 3000 产品特性 大功率 封装 TO252-5 ...
沟道类型 N+P 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 货号 TO-252-4 品牌 HUILIDA 型号 P3004ND5G 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线...
P3004ND5G-VB 商品编号 C18212431 商品封装 TO-252-4L 包装方式 编带 商品毛重 0.412克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 数量1个N沟道+1个P沟道 漏源电压(Vdss)40V 连续漏极电流(Id)50A 导通电阻(RDS(on))25mΩ@10V,38A ...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 P3004ND5G、 NIKOS、 TO-252 商品图片 商品参数 品牌: NIKOS 封装: TO-252 批号: 23+ 数量: 10000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作温度: 90C 最小电源电压: 2V 最大电...