应先说P substrate,因为衬底是整个ic design的物理基础,P substrate就是P型掺杂的晶片,一般是P-,通常参杂的是錋源。这是在流片之前就已经定下来的了。至于你说的N well,就是N阱。一般CMOS集成电路分为单阱,双阱和准双阱。不管何种工艺,在P substrate上必然是要做N well的了,因为要形成反型和电隔离、反偏...
substrate p-nitrophenyl phosphate问题补充:匿名 2013-05-23 12:21:38 底物对硝基苯磷酸盐 匿名 2013-05-23 12:23:18 纸张P-nitrophenyl磷酸盐 匿名 2013-05-23 12:24:58 基体磷硝基苯酚磷酸盐 匿名 2013-05-23 12:26:38 衬底对-硝基苯基磷酸酯 匿名 2013-05-23 12:28:18 正在翻译,...