半导体p-n结,异质结和异质结构 半导体，本征半导体，非本征半导体 半导体:最外层价电子填满了价带，导带没有电子，有一定带隙宽度。在一定条件下使价带中的电子获得能量跃迁到导带中，在价带中形成空穴，在导带中出现电子时，半导体导电。本征半导体:不掺杂的半导体。此时的费米能级在带隙的中间。价带中的电子靠热激发或光激发直接跃迁
能带结构:半导体1与2的带隙严重交错,无重叠区域。局限性:电荷传递受阻,光催化活性低,应用较少。二、p-n型异质结:内建电场驱动电荷分离结构特点:由p型(空穴富集)与n型(电子富集)半导体组成,界面形成内建电场。作用机制:光照下,p型半导体的电子向n型迁移,n型的空穴向p型迁移,促进载流子分离。短板:类似Ⅱ型异质...
合理设计具有快速离子动力学的p-n异质结ZnS/SnO2量子点并应用于锂/钠离子电池 第一作者:詹光浩 通讯作者:吴小慧*,黄小荥* 单位:中国科学院福建物质结构研究所,福建师范大学 【研究背景】 SnO2作为一种转化-合金型负极材料,具有理论容量高、工作电压安全、资源丰富、成本低、环境友好等优点,被认为是碱金属离子电池负...
异质结就是一种半导体材料生长在另一种 半导体材料上所形成的接触过渡区。依照两种 材料的导电类型分同型异质结(P-p结或N-n结) 和异型异质(P-n或p-N)结。按照两种材料晶格常 数的失配程度,异质结可分为两类,即匹配型 异质结和失配型异质结,由于两种异质材料具 有不同的物理化学参数(如电子亲和势、能带 ...
HJT(Heterojunction)即异质结电池,其典型结构是在n型单晶硅衬底上,沉积本征非晶硅和 p型非晶硅薄膜,形成p-n异质结。n型硅片经过清洗制绒后,表面依次沉积本征富氢非晶硅薄膜、P型非晶硅薄膜,从而形成 p-n 异质结,然后在背面依次沉积本征富氢非晶硅薄膜,以及n型重掺杂的非晶硅膜,形成背表面场。在两面的外侧再沉积...
2、HJT异质结电池，本征薄膜异质结电池技术，基本原理为以晶硅太阳能电池片为基层，再叠加薄膜太阳能技术，大的归类还是属于N型组件技术路线，异质结电池有HJT和HIT两种，电池量产平均转换效率为 24.73%，理论转换效率上限是 27.5%。3、TNC钝化接触电池，目前TNC电池量产转换效率已超25.1% 4、TOPCon氧化层钝化接触...
一种p-n异质结结构NiO-In 2 O 3 复合纳米球的制备方法,所述方法为将四水合三氯化铟、六水合硝酸镍、一水合柠檬酸和尿素按照摩尔比为1:0.1～0.2:2.5:15溶于乙二醇溶液中,磁力搅拌60min得混合溶液,所述混合溶液中四水合三氯化铟的浓度为1/30mol/L;将混合溶液置于160℃干燥箱中反应16h,洗涤干燥热处理得所...
【答案】：P-InP的禁带宽度为1.35eV，对波长大于0.92μm的光不吸收．因此．在光通信用的1.5～1.65μm波段不产生吸收损耗．I-InGaAs的禁带宽度为0.75eV(对应截止时波长1.65μm)，在1.3～1.6μm波段上表现出较强的吸收．几微米厚的I层，就可以获得很高的响应度．这样，对于光通信的低损耗...
p- n 异质结结构有机太阳能电池以酞青类化合物为p 型半导体, 以北四甲醛亚胺化合物或C60为n 型半导体。A.正确B.错误的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键将文档转化为在线题库手机刷题,以提高学习
本发明公开了一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管,属于半导体器件领域。其结构从下到上主要包括有衬底,氮化铝(AlN)成核层,氮化镓(GaN)沟道层,氮化铝(AlN)插入层,势垒层以及势垒层上形成的源极,漏极和栅极,其中源极和漏极与势垒层形成欧姆接触,栅极与势垒层形成肖特基接触,在氮化镓(GaN...