半导体p-n结,异质结和异质结构 杂质半导体ni,电子浓度n,空穴浓度p之间的关系 n=nie^(Ef-Ei)/kT,P=nie^(Ei-Ef)/kT,ni^2=npEi本征费米能级Ef杂质费米能,在n型半导体中,n＞p,因此,Ef＞Ei在p型半导体中,p＞n,因此,Ei＞Ef 半导体p-n结,异质结和异质结构 n型p型半导体的能带结构 XsWnWp EgEs Eo E...
11、的反向电压特性及电容特性 半导体同质半导体同质p-n结结,异质结的构成异质结的构成 采用不同的掺杂工艺采用不同的掺杂工艺, ,将将P P型半导体与型半导体与N N型半型半导体制造在同一块半导体上导体制造在同一块半导体上, ,在它们的交界面就构成空在它们的交界面就构成空间电荷区称间电荷区称PNPN结。结。
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半导体p-n结,异质结和异质结构03 下载积分:2000 内容提示: 半导体,本征半导体,非本征半导体 半导体: 最外层价电子填满了价带,导带没有电子,有一定带隙宽度。在一定条件下使价带中的电子获得能量跃迁到导带中,在价带中形成空穴,在导带中出现电子时,半导体导电。 本征半导体: 不掺杂的半导体。此时的费米能级在带隙...
半导体p-n结异质结和异质结构03_ 系统标签: 半导体载流子电荷区空穴结构非本征 半导体,本征半导体,非本征半导体半导体:最外层价电子填满了价带,导带没有电子,有一定带隙宽度。在一定条件下使价带中的电子获得能量跃迁到导带中,在价带中形成空穴,在导带中出现电子时,半导体导电。本征半导体:不掺杂的半导体。此时的费米...
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HJT(Heterojunction)即异质结电池,其典型结构是在n型单晶硅衬底上,沉积本征非晶硅和 p型非晶硅薄膜,形成p-n异质结。n型硅片经过清洗制绒后,表面依次沉积本征富氢非晶硅薄膜、P型非晶硅薄膜,从而形成 p-n 异质结,然后在背面依次沉积本征富氢非晶硅薄膜,以及n型重掺杂的非晶硅膜,形成背表面场。在两面的外侧再沉积...