本发明公开了一种Z型InGaN/CuO纳米柱异质结的制备方法与应用.Z型InGaN/CuO纳米柱异质结包括衬底,生长在衬底上的InGaN纳米柱和沉积在InGaN纳米柱上的CuO.本发明采用一种成本低,工艺简单的方法制备了Z型能带排列的InGaN纳米柱异质结.该异质结制作光电极可用于无偏压光电催化水分解制氢,无需外部能量的输入,大大提高了...