相较于N沟道MOS管,P-MOSFET具有独特的导通特性和驱动要求,需在理解器件物理结构基础上进行针对性设计。 P-MOSFET导通时要求栅源极电压低于阈值电压,当负载接在源极与电源之间时,栅极需要相对于源极施加负电压。这种特性使得高侧开关应用中无需自举电路,但需要特别注意驱动信号的逻辑电平匹配。典型驱动电压范围通常为-10V至-
其实P-MOS管的驱动跟N-MOS管也是有点类似的,P-MOS管的导通条件是:G极与S极中间的电压差低于阈值时,S极和D极导通。 虽然P-MOS管的驱动原理跟N-MOS管比较类似,但是,两者之间的驱动电路还是有点差异的,同样以单片机IO口控制为例,当P-MOS管的S极与D极电压差异过大时,就不能直接用单片机IO口来控制了,比如,...
这里从电路结构、元件选型、参数计算到调试技巧逐步拆解,帮助搭建可靠驱动电路。 电路结构方面,三极管通常接在MOS管的栅极和电源之间,利用三极管的开关特性控制栅极电压。当三极管导通时,栅极电压被拉低,P沟道MOS管导通;三极管关断时,栅极通过上拉电阻恢复高电平,MOS管关断。注意栅极必须设置合适阻值的上拉电阻,阻值过大...
驱动电路通常由一个信号源和一个电路设计组成。信号源的作用是向电路输送控制信号,电路设计的作用则是将信号转换成可驱动P型MOS管的电流信号。 具体实现方法如下:先将P型MOS管的栅极接地,进而将其源极和电路的负极相连。同时,在驱动电路中,接入一个与P型MOS管的源极相连的电容,...
一、驱动PMOS管推挽电路的基本原理 推挽电路是由两个三极管或MOSFET(如P-MOS管和N-MOS管)组成的电路,其中一个负责灌电流(P管),另一个负责拉电流(N管)。在驱动PMOS管的推挽电路中,通常使用NMOS管作为下拉开关,PMOS管作为上拉开关。当输入信号为高电平时,NMOS...
p沟道mos管驱动电路 在进行沟道MOS管驱动电路设计时,需要注意以下几个方面: 1. 充分利用MOSFET的优点:MOSFET具有高输入阻抗、低驱动电流和高速开关等优点。因此,在设计驱动电路时,应该充分利用这些特性,提高电路效率和可靠性。 2. 选择合适的驱动电源:通常情况下,驱动电源的电压应该大于MOSFET的门源电压,以确保MOSFET...
16 p. 感光性粘接剂 73 p. 感光性碱可溶有机硅树脂组合物 26 p. 感光性硬化树脂的涂布方法及粘结方法 17 p. 感光性硅氧烷树脂组合物 19 p. 感光性玻璃浆料和多层布线片部件 16 p. 感光性热塑性树脂组合物及使用该感光性热塑性树脂组合物的成形物 26 p. 感光性气体产生剂和光固化性组合物 9...
DMP3056LDM-7 封装SOT26 P沟道 30V 4.3A 场效应管 MOS驱动芯片IC 深圳市卓芯电子有限公司8年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.40 AiP4953 中微爱芯 LED显示驱动控制电路芯片 双P沟道增强型MOSFET 深圳市泓泰微科技有限公司2年 月均发货速度:暂无记录 ...
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我的一点看法：两个晶体管构成复合NPN晶体管，确保PMOS管栅极有足够的灌电流吧，能让MOS管快速打开与...