氧化铟是一种无机化工产品,其分子式为In2O3,分子量为277.6342。用作光谱纯试剂和电子元件的材料等2.用于金属反射镜面的保护涂层、光电显示半导体薄膜,也用于制造铟盐、玻璃。 【关于我们】 服务项目:靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款,质量保证,售后无忧! 产品附件:发货时产品附带装箱单...
In2O3纳米颗粒修饰的GaN复合材料是一种新型的气敏材料,具有高灵敏度和低检测限的特点。In2O3纳米颗粒是一种具有较高导电性和氧化性的材料,可以与GaN复合材料形成良好的界面结构,从而提高气敏性能。 二、室温下对NO2的检测 ...
In2O3是n型还是p型的,原因或者依据（在哪看到的）
氧化铟是一种无机化工产品,其分子式为In2O3,分子量为277.6342。用作光谱纯试剂和电子元件的材料等2.用于金属反射镜面的保护涂层、光电显示半导体薄膜,也用于制造铟盐、玻璃。 中文名 氧化铟 熔点 2000°C 化学式 In2O3 密度 7.179 g/cm3 分子量
表征.结果表明,CuO纳米颗粒可以均匀地负载在超细In2 O3纳米纤维表面;随着反应液中乙酸铜浓度的增加,负载的CuO纳米颗粒密度也逐渐增加.通过制备旁热式气敏器件对复合纳米纤维材料的气敏特性进行了研究.结果表明,与纯In2 O3纳米纤维相比,p-CuO/n-In2 O3异质结纳米纤维对H2 S气体具有较高的灵敏度和...
曲线(R-T)、Hall效应、磁电阻(MR)、超导量子干涉仪(SQUID)、紫外-可见光吸收光谱(UV)等表征手段研究Co/Sn共掺杂In_2O_3稀磁半导体,分析p-n共掺杂对In_2O_3稀磁半导体薄膜的局域结构及自旋相关磁、光、输运性能的影响,研究结果如下:1、制备了不同Co掺杂浓度的(In_(0.98-x)Co_xSn_(0.02))_2O_3...
In2O3是一种无机化合物,由铟和氧元素组成。XRD是X射线衍射的缩写,是一种常用于材料科学、化学、物理等领域的研究方法,用于分析物质的晶体结构。In2O3 XRD分析的基本原理是利用X射线与物质中的原子相互作用,产生衍射现象,通过测量衍射角度和强度,推断...
银矿in2o3ga2o3被广泛应用于触摸屏、液晶显示器、太阳能电池等领域。在触摸屏制造中,银矿in2o3ga2o3可以作为导电层的材料,具有高导电性和高透明度的特点,可以提高触摸屏的灵敏度和透明度。 在液晶显示器制造中,银矿in2o3ga2o3可以作为透明导电层的材料,可以提高液晶显示器的亮度...
分子式:In2O3 分子量:277.63400 质量:277.79200 物性数据 蒸气压(mmHg,25ºC):<0.01 溶解性:不溶于水,溶于热的无机酸 基本参数 银微粉 银包铜粉体 片状银粉 纳米银粉 球型银包铜 球型纳米银粉 树枝状银包铜 纳米金粉 纳米金分散液/纳米金溶液
计算了In203电子结构和光学线性响应函数,系统研究了In203电子结构与光学性质的内在关系.利用计算的能带结构和态密度分析了带间跃迁占主导地位的In203材料的能量损失函数、介电函数、反射图谱,根据电荷密度差分图分析了In203材料的化学和电学特性.研究结果表明In203光学透过率在可见光范围内高达85%,可作为优异的透明导电...