【答案】：P-InP的禁带宽度为1.35eV，对波长大于0.92μm的光不吸收．因此．在光通信用的1.5～1.65μm波段不产生吸收损耗．I-InGaAs的禁带宽度为0.75eV(对应截止时波长1.65μm)，在1.3～1.6μm波段上表现出较强的吸收．几微米厚的I层，就可以获得很高的响应度．这样，对于光通信的低损...
非晶硅电池要采用pin结构的原因是节省成本，可充分吸收光。硅材料用料少，可节省成本，可充分吸收光，单晶要200厚，非晶1μ厚非晶硅光吸收系数大主要原材料是生产高纯多晶硅过程中使用的硅烷，这种气体，化学工业可大量供应，且十分便宜，制造一瓦非晶硅太阳能电池的原材料本约RMB3.54(效率高于6%)。晶体硅...
这也就形成了功率二极管P-i-N的基本结构。由于反偏状态下,PN结结角处会有电力线集中,因此简单的P-i-N二极管通常其耐压值更远小于相应的理想平行平面结的耐压。为了改善其耐压特性,通过引入结终端技术,回采用分压场环、保护环、场板、或使用台面结构、正斜角、负斜角终端来提高终端效率,实现最大程度的耐压。 快...
主要原因:1) P-i-N结构是OSCs开发过程中的原型器件结构,迄今为止在实验室的器件制造中被广泛试用。2) 埋底HTL可以对有机光吸收层的形貌进行调节作用,为形貌控制提供了额外的处理方式。因此作者认为对P-i-N结构的OSCs的HTL开发更值得关注。3) 对于OSCs的实际应用,需要低成本和大面积的器件。为此,可溶液处理的...
在这篇文章中,研究团队展示了一种客体聚合物定制LBL (GPT-LBL)策略,通过原位监测非富勒烯受体的预聚集行为来构建p-i-n微观结构。这种内置互穿网络的优越结构减轻了陷阱密度状态和能量损失,改善空穴转移动力学,平衡电荷传输,同时最大化开路电压(Voc)、短路电流密度(Jsc)和填充因子(FF)。从而实现了功率转换效率(PCE...
I是吸收层 PIN和NIP没有正反型一说吧，光一般都是从P一边进入，他们只是沉积制备的顺序不同而已。
p-i-n结光电二极管实际上也就是人为地把p-n结的势垒区宽度加以扩展，即采用较宽的本征半导体（i）层来取代势垒区，而成为了p-i-n结（见图示）。p-i-n结光电二极管的有效作用区主要就是存在有电场的i型层（势垒区），则产生光生载流子的有效区域增大了，扩散的影响减弱了，并且结电容也大大减小...
香港理工大学李刚教授、美国加州大学杨阳教授等人添加了客体聚合物PY-IT来增强垂直分离,从而产生更明显的p-i-n结,得到了具有更高迁移率和平衡电荷传输的OSC。p-i-n结构对器件工程和光物理的理解产生影响…
中国科学院在反型结构钙钛矿太阳能电池方面取得重要进展 钙钛矿太阳能电池被认为是未来最具潜力的光伏技术之一。过去十多年,高光电转换效率的钙钛矿电池大多采用n-i-p正型器件结构,但处于电池顶层的常用p型有机小分子Spiro-OMeTAD存在易吸水以及热稳定性较差等问题,严重制约了钙钛矿太阳能电池稳定性的发展。反型结构(p...