因为PD的主要有源区是势垒区，所以展宽势垒区即可提高灵敏度。p-i-n结光电二极管实际上也就是人为地把p-n结的势垒区宽度加以扩展，即采用较宽的本征半导体（i）层来取代势垒区，而成为了p-i-n结（见图示）。p-i-n结光电二极管的有效作用区主要就是存在有电场的i型层（势垒区），则产生光生载流...
从而实现了功率转换效率(PCE)为19.41%(认证为19.0%)的高效GPT-LBL有机太阳能电池(OSC)。 用于GPT-LBL OSCs的大面积(1.03 cm²)器件在露天叶片涂层中获得了17.52%的PCE,这是绿色溶剂加工OSCs的最佳值之一。p-i-n结构对器件工程和光物理的理解产生影响,为实现高效稳定和可扩展的OSCs提供了一种有效的方法。 其...
p-i-n结快恢复二极管实际上也就是人为地把p-n结的势垒区宽度加以扩展,即采用较宽的本征半导体(i)层来取代势垒区,而成为了p-i-n结。 p-i-n结快恢复二极管的有效作用区主要就是存在有电场的i型层(势垒区),则产生光生载流子的有效区域增大了,扩散的影响减弱了,并且结电容也大大减小了,所以其光检测的灵敏度...
I为工作电流 a为温差电动势率 Tc为冷接点温度 半导体致冷片示意图 在大规模集成电路中,集成了大量的三极管,每个三极管就等于一个发动机,不停地为芯片的发热贡献着力量。热量超过100度的芯片很容易烧毁损坏。如果能在这些发热的三极管中引用这种致冷结构,芯片内过亿的晶体管,每一个P-N结构都能能参与回收一点能量,降...
非晶硅电池要采用pin结构的原因是节省成本，可充分吸收光。硅材料用料少，可节省成本，可充分吸收光，单晶要200厚，非晶1μ厚非晶硅光吸收系数大主要原材料是生产高纯多晶硅过程中使用的硅烷，这种气体，化学工业可大量供应，且十分便宜，制造一瓦非晶硅太阳能电池的原材料本约RMB3.54(效率高于6%)。晶体硅...
GPT-LBL策略通过受体的聚合调整来增强p-i-n结构 实现了PCE为19.41%(认证为19.0%)的高效GPT-LBL器件 GPT-LBL策略增强了OSCs的运行稳定性 主要内容 由于供体-受体结构域的混合,具有体异质结(BHJ)的OSCs容易产生电荷复合。逐层沉积(LBL)有助于控制垂直分布,从而形成p-i-n结并改善电荷传输。香港理工大学李刚教授、...
本发明P-I-N发电层结构,采用纳米SiOx薄膜材料作为发电层,具有高的电导率抑制光致衰退效应,又具有较高的光敏性和吸收系数,通过调节沉积参数可以实现薄膜材料带隙与光电特性的调制,得到宽带隙材料并转化成电池高开路电压;薄膜材料中氧键的引入,有助于提高电池在接近实际使用温度下的光电转换性能,用其制成透光太阳能电...
P是指的P型半导体，N是指的N型半导体，I是指的本征半导体。1.PN结的形成：硅是一种半导体材料，具有四个价电子，当把具有5个价电子的元素作为杂质掺入硅中，就形成了N型半导体，掺入的杂质比硅多一个价电子，这个电子在硅中可以起到传输电流的作用这种杂质被称为施主杂质，由于电子数量众多，称为...
反型结构(p-i-n)钙钛矿太阳能电池采用稳定的n型金属氧化物如SnO2和低载流子复合损失的p型自组装分子(SAM)分别作为电子和空穴传输层,可兼得器件的效率和稳定性,最近几年受到极大关注。然而厚度仅为几纳米的SAM层存在大面积均匀生长困难的重大挑战,影响了钙钛矿电池的重复性和高效大面积化发展。