p-i-n型FAPbI3薄膜光电探测器中的界面修饰与传输层改性 热度: 基于组分与光学调控的p-i-n型钙钛矿光电探测器的研究 热度: Built-in Potential Measurements in a-Si_H p-i-n Solar 热度: 相关推荐 第 23 卷第 1 期半导体学报 Vol.23,No.1 2002 年 1 月 C~INESEJOURNALOFSEMICONDUCTORSJan ===...
爱企查为您提供深圳先进新材料制造有限公司纳米薄膜的p‐i‐n型光电探测器 较快的响应速度 宽光谱 多波段等产品,您可以查看公司工商信息、主营业务、详细的商品参数、图片、价格等信息,并联系商家咨询底价。欲了解更多镀铜粉、录放机、包里布、碳化钽、导电膜、镭射浆、镀
由于氮化镓(GaN)是直接宽带隙半导体材料,所以成为了在可见区与紫外区的光电器件的首选材料,而p-i—n结构的器件因其响应度高,暗电流低,便于集成等优点倍受人们的青睐.采用金属有机气相外延(MOCVD)法制备了p—i—n结构的GaN紫外光电探测器.在此基础上,采用N2气氛下热退火处理的方法,提高了P型GaN层的载流子浓度,...
膜光电探测器的暗电流这一优化方向,研究了引入界面修饰层与空穴传输层改性 对器件性能的影响,主要内容包括两部分: 1.引入了共轭聚合物电解质材料PFN,作为阴极界面修饰层以降低器件的暗 电流,得到性能改善的基于α-FAPbI3薄膜的p-i-n型光电探测器,并分析了PFN的 ...
摘要：为了实现高灵敏度探测，红外探测器需要得到优化&利用Silvaco 器 件仿真工具研究了 p-i-n 型InP/Ino. 53Ga 0.47As/In 0. 53Ga °. 47A s 光电探测器的结构, 并模拟了该结构中吸收层浓度和台阶宽度对暗电流以及结电容的影响&结果表 明，随着吸收层掺杂浓度的逐渐增大，器件的暗电流逐渐减小，结电容...
I3对光电探测器性能的影响需要进一步研究.另一方面,从光学角度来看,短光程带来的活性层无法充分吸收光子转化为载流子是光学损耗的重要来源之一.因此,光学角度的调控成为改善探测器性能的有效策略之一.基于以上考虑,本文内容主要分为以下两个部分:(1)为了制备高效可重复的钙钛矿探测器,首先优化了p-i-n型光电探测器活性层...
为提高氧化镓自供电日盲紫外光电探测器的响应度,该课题组提出利用spiro-MeOTAD (spiro)作为日盲紫外波段的透光层来构建p-i-n型(p-spiro/Ga2O3/n-Si)光电探测器。借助于双内建电场的作用,制备的器件可以在无外加电源的情况下运行。进...
基于铁电p-i-n结的光电探测器及其制备方法,本发明提供一种基于铁电p‑i‑n结的无驱动光电探测器及其制备方法,所述光电探测器包括:基底、位于基底上的至少两个接触电极以及p‑i‑n结,所述p‑i‑n结包括层叠的p型半导体二碲化钼、本征半导体钙钛矿和n型铁电半
The remarkable performance of our device at high temperature can be attributed to the excellent insulation and high crystalline quality of i-ZnGa2O4 layer, as well as the good electrical properties of p-GaN and n-ITO. Moreover, their wide and complementary band gaps make the device have a ...
MoTe2的p-i-n同质结电容极小,载流子迁移率高,动态响应带宽接近34.0 GHz。该器件几何结构的优点是使用硅PC波导作为背栅直接构建2D材料p-i-n同质结,同时增强光-2D材料的相互作用。本文的研究结果为在硅光子芯片上开发2D材料基光电探测器、激光二极管和电-光调制器提供了潜在的途径。文章以“Waveguide-Integrated ...