MOCVDで成長したMgドープGaN層の表面にNiを蒸着してから熱処理することできわめて低温でp型化することに初めて成功した。 NiをAs-grownの高抵抗MgドープGaN試料表面全面に厚さ1.5nm蒸着し、窒素中200℃で10分間熱処理するとMgドープ層はキヤリア濃度1×10{sup}16cm{sup}(-3)のp型伝導性を示...
我々は、負の電子親和力を持つ半導体表面を用いた電子源(NEA半導体フォトカソード電子源)の高輝度、高耐久化を目指して、p-GaN半導体を用いた機能性表面の寿命に対する電子源の高輝度条件を検討した。超高真空中でp-GaN基板に対してNEA表面活性化を行った後、その量子効率の波長依存性及びその寿命の測定...
p-InGaN cap層を用いたAlGaN/GaN HEMTsを作製しデバイスの特性評価を行った。p-InGaN capのMg活性化のためのアニール温度を調べたところ、800℃アニールでは比較的良好なFET特性を示した。 作製したp-InGaN cap (800℃) HEMTsの閾値電圧は1.1Vであり、十分なノーマリオフ特性が実現できた。