系列: 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型: P 通道 漏源电压(Vdss): 30V 电流- 连续漏极(Id)(25°C 时): 3.4A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V 不同Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 45 毫欧 @ 1A,4.5V 不同Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1.4V @ 250µA 不同...
本产品的品牌是IR/国际整流器,型号是IRF7406PBF,种类是结型(JFET),沟道类型是P沟道,导电方式是增强型,用途是A/宽频带放大,封装外形是SMD(SO)/表面封装,材料是GE-N-FET锗N沟道 所属分类:中国电子元件网 / 结型场效应管(N沟道)本页链接:http://product.11467.com/info/3410961.htm IRF7406PBF MOS FET...
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FET 类型: P 通道 漏源电压(Vdss): 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.5A(Ta) 不同Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.4V @ 250µA Vgs(最大值): ±12V 功率耗散(最大值): 1.4W(Ta) 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3,SC-5...
产品族: 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 FET 类型: P 通道 漏源电压(Vdss): 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 32A(Ta),85A(Tc) 不同Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.6V @ 250µA Vgs(最大值): ±25V 功率耗散(最大值): 7.3W(Ta),83W(Tc) 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ...
FET 类型 P 通道 漏源电压(Vdss) 12V Vgs(最大值) ±8V 功率耗散(最大值) 700mW(Ta) 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘 可售卖地 全国 类型 分立半导体产品 型号 NTLJS2103PTAG 本公司产品广泛有:二极管 三极管 DIP/SMDIC集成电路 !!型...
产品族: 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 系列: - FET 类型: P 通道 漏源电压(Vdss): 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V 不同Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 32 毫欧 @ 8A,10V 不同Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V @ 250µA ...
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品牌: AOS/万代 数量: 99999999 湿气敏感性等级(MSL): 1(无限) 产品族: 分立半导体产品 系列: 晶体管-FET,MOSFET-单 FET类型: P通道 漏源电压(Vdss): 30V Vgs(最大值): ±20V 功率耗散(最大值): 1.4W(Ta) 工作温度: -55°C~150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO...
FET 类型: P 通道 漏源电压(Vdss): 30V Vgs(最大值): ±25V 功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),90W(Tc) 工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动...