1.一种VDMOS Pbody注入阴影消除工艺,其特征在于,硅片处于高真空腔室中载片台上,竖直放置,束流相对于硅片成7°角注入硅片,作X方向扫描,同时载片台上下作Y方向运动,束流按照总剂量分成多个方向注入。 2.如权利要求1所述的VDMOS Pbody注入阴影消除工艺,其特征在于,束流按照总剂量分成四个方向注入,每个方向注入等量...