纯纳米纤维以及[P(VDF-HFP)]/PANI-ZnS 复合纳米纤维的介电常数与介电损耗，其中复合纳米纤维的介电常数有所上升。这是因为 PANI/ZnS 颗粒的分散以及导电表现，是介电常数提高的主要因素。另外，PANI/ZnS 颗粒跟[P(VDF-HPF)]链之间，在界面处电荷载流子积累得多，使得介电常数变大了。高介电常数的出现是因为...
摘要：采用溶液铸造法，以聚(偏氟乙烯–六氟丙烯) [P(VDF–HFP)]为基体、钛酸钡锶(BST)为填料制备了纳 米薄膜材料。对薄膜的物相组成和微观形貌进行了表征，研究了BST 含量对薄膜介电性能和储能性能的影响。结 果表明，随着BST 含量的增大，薄膜的介电常数显著上升，介电损耗在中、高频区域有所下降，击穿强度...
在本文中,通过加入聚乙烯吡咯烷酮(PVP)改性聚偏氟乙烯-co-六氟丙烯[P(VDF-HFP)]共聚物,制备出了具有较高介电常数,低介电损耗,热稳定性较好的薄膜。分析表明,P(VDF-HFP)/PVP共混薄膜的结晶度下降,无序化程度增加,且形成了一种新的γ-2b晶体。介电频率谱和温度谱表明,随着PVP的增加,介电常数和损耗都下降...
鉴于此,本文主要研究了单向拉伸处理对PVDF和P(VDF-HFP)的结晶相结构、介电、铁电和能量存储性能的影响。发现拉伸处理后P(VDF-HFP)厚膜结晶度降低,结晶区发生了从α或γ相到β相的相变,介电常数稍有下降。但经拉伸处理后,HFP摩尔含量为4.5%的P(VDF-HFP)厚膜耐击穿电场强度高达900 MV·m-1,单向电滞回线结果表...
以聚偏氟乙烯-三氟氯乙烯(P(VDF-CTFE))为原料,经过消去反应脱除氯化氢,得到含有分子内双键的P(VDF-CTFE-DB).选择高介电的钐掺杂铌镁酸...
采购电缆时,应熟悉上述知识,才能得到优质产品.交联电缆绝缘品质高,其高频击穿强度可达50kV/mm,介电常数为2.3,是最为理想的电缆绝缘,同时交联电缆的工作温度高达90oC,耐热和耐候性好,并有较高的机械性能和耐腐蚀等化学性能,在中低电缆产品中基本上已全是交联电缆了。尽管交联电缆的工艺不同,但其绝缘品质均完全一致...
1.3.3电性能 ECTFE氟碳粉末涂料具有电绝缘性,介电常数 2.5—2.6,且与频率和温度无关.损耗因数较低,在 0.002—0.016之间,其值大小取决于频率和温度. 1.3.4耐化学品腐蚀性能 ECTFE氟碳粉末涂料耐酸,大多数强碱,强氧 化剂及其他化学品.对一些无机溶液(包括水和盐 ...
(VDF-HFP)层厚对全有机聚合物击穿强度,介电性能和储能性能的影响.结合P(VDF-HFP)的高介电常数以及FPE的高绝缘特性,制备出双层结构复合薄膜.二者介电常数的差异导致了外加电场下复合薄膜内部的电场重新分布,FPE的高绝缘特性使复合薄膜具备显著增强的击穿场强.P(VDF-HFP)层厚度为6μm的双层结构复合薄膜击穿场强...
涉及复合薄膜制备技术领域.本发明的目的是为了解决传统的复合材料薄膜不能兼具高介电常数和高击穿强度的问题.方法:将P(VDFHFP)薄膜置于两层FPE薄膜之间,进行热压工艺处理,最后冷却,得到高击穿和高储能的FPE与P(VDFHFP)基多层结构复合薄膜.本发明可获得一种高击穿和高储能的FPE与P(VDFHFP)基多层结构复合薄膜及其...
采购电缆时,应熟悉上述知识,才能得到优质产品.交联电缆绝缘品质高,其高频击穿强度可达50kV/mm,介电常数为2.3,是最为理想的电缆绝缘,同时交联电缆的工作温度高达90oC,耐热和耐候性好,并有较高的机械性能和耐腐蚀等化学性能,在中低电缆产品中基本上已全是交联电缆了。尽管交联电缆的工艺不同,但其绝缘品质均完全一致...