理想p·n结模型的假设条件:突变结近似;耗尽区内无载流子产生与复合;纯扩散电流主导;小注入条件;外加电压全降在耗尽层;无串联电阻;玻尔兹曼近似成立。肖克莱方程式:I = I₀[exp(qV/(kT)) - 1]偏离理想方程的因素:大注入效应;空间电荷区复合-产生电流;串联电阻;边缘漏电流;温度效应;击穿现象;隧穿效应。 理想...
二极管的核心结构是PN结,其伏安特性表现为电流与电压的非线性关系。正向电压下,电流随电压呈指数增长;反向电压下,电流极小且接近饱和。这种特性由肖克莱方程(I = I_S(e^(V/(nV_T)) - 1))描述,明确体现了非线性特征。虽然“单向导电性”是二极管的功能特性,但题目直接针对“伏安关系”,故应选择严格数学上的...
只要外加正向电压存在,穿越空间电荷区的载流子注入就一直持续,P-N结内就会在外加电压的作用下形成电流。正向偏压时,(6.4)式中的 可由 代替,但其平衡时的少子浓度 需用非平衡时的少子浓度 代替。 (利用小注入假设条件,各区的多子浓度基本保持不变) 结合(6.4)式,上式可以写成 当P-N结加正向电压时,它就不再...
1、 第6章理想P-N结的电流电压方程在这之前,我们已经讨论了P-N结在平衡时的特性,包括内建电势差%,的大小;利用一维的泊松方程求出的空间电荷区的电势分布;电场分布。之后,又讨论了在反向偏压情况下的空间电荷区的宽度变化及结电容变化。上述的所有结论都是在均匀掺杂和突变结近似的情况下得到的。有了这些知识...
1.中性区与耗尽区边界处的少子的浓度与外加电压 的关系。这将被用做求解微分方程的边界条件。 2.PN结耗尽区及两侧中性区内的载流子子浓度分布。 3.PN结的正向电流、反向电流。 PN结二极管的符号为: P区N区 + − 半导体器件物理©Dr.B.Li&J.Han ...
半导体器件物理6章p-n结的电流-电压方程第6章理想P-N结的电流-电压方程在这之前,我们已经讨论了P-N结在平衡时的特性,包括内建电势差V的大小;利用一维的泊松方程bi求出的空间电荷区的电势分布;电场分布。之后,又讨论了在反向偏压情况下的空间电荷区的宽度变化及结电容变化。上述的所有结论都是在均匀掺杂和突变结...
p-n结具有单向导电性: 2、温度对电流密度的影响很大:D=(k0T/q)μL=(Dτ)1/2 Dn/Ln=(Dn/τn)1/2 ni2=NcNvexp(-Eg/k0T)=T3Nc= Js≈T3+r/2exp(-Eg/k0T)Js随温度升高迅速增大,Eg越大,Js变化越快 3、影响p-n结电流电压特性偏离理想方程的各种因素: ...
金属-半导体整流结 正偏pn结和肖特基势垒结的电流-电压特性 金属-半导体的欧姆接触特性 非均匀掺杂pn结的特性 pn结的常规制备技术 1.pn结的基本结构 整个半导体材料时一块单晶半导体,其中掺入受主杂质原子的形成p区,相邻的另一区掺入施主杂质原子形成n区。分割pn区的界面为冶金结。
15-第六章-p-n结 第六章p-n结 平衡p-n结特性 p-n结的形成及杂质分布*合金法 Al P型 N型 N(x)NANDx n-Six Xj 突变结 NANDpnNDNAnp *扩散法 B N(x)NANDx 线性缓变结 NANDj(xxj)离子注入 外延（MBE、MOCVD)n-Six Xj xxjxxj...
\rho=q(p-n+N_D-N_A)\approx q(N_D-N_A)\\ 空间电荷区的存在对PN结的电气特性有重要影响,它决定了PN结在外部电压施加时的行为。当施加外部正向偏压时,空间电荷区会变窄,允许更多的载流子通过,导致电流增加。而在施加反向偏压时,空间电荷区会变宽,几乎阻止了任何电流的通过,表现出二极管的整流特性。因此,...