p–njunctionband structureion irradiationAr+ion beamThe core-level and valence band electronic structure of the n-GaAs (100) has been studied by synchrotron-based high-resolution photoelectron spectroscopy after irradiation by an Ar+ ion beam with energy Ei = 1500 eV and fluence Q = 1*1015 ...
半导体物理基础-第四章p-n结
P-Njunctiondiode I V I=I0(e pI0qV/hkT -1)v =q(ni2/ND)(Lp/tp)pn ECE663 P-NJunctions-Equilibrium <=N-type,highEF <=P-type,lowEF +=fixedionizeddonors-=fixedionizedacceptors +=mobileholes,p -=mobileelectrons,n Whathappenswhenthesebandstructurescollide?•Fermienergymustbeconstantat...
p n junction isolation p n 结隔离p n junction rectification p n 结型整流p type conduction p 型导电性p type diffusion p 型扩散p type dopant p 型掺杂剂p type doping p 型掺杂p type semiconductor p 型半导体p well diffusion p 阱形成扩散p well mask p 阱形成掩膜p+ guard ring p+ 型保护...
半导体材料与器件宁波大学p-n结1 PNPN 热平衡状态下的热平衡状态下的pp--nn结结 耗尽区耗尽区 耗尽层势垒电容耗尽层势垒电容 电流电流--电压特性电压特性 电荷储存与暂态响应电荷储存与暂态响应 结击穿结击穿 异质结异质结 p-n结(junction):由p型半导体和n型半导体接触形成的结. p-n结最重要的特性是整流性,...
举例来说,一个p-n接面(p-n junction)的能带会弯折,起因是原本p型半导体和n型半导体的费米能阶位置各不相同,但是形成p-n接面后其费米能阶必须保持在同样的高度,造成无论是p型或是n型半导体的传导带或价带都会被弯曲以配合接面处的能带差异。 上述的效应可以用能带图(band diagram)来解释,。在能带图里...
p-n结(junction)：由p型半导体和n型半导体接触形成的结．p-n结最重要的特性是整流性，即只容许电流流经单一方向。右图为一典型硅p-n结的电流-电压的特性．当对p-n结施以正向偏压(p端为I/mA正)时，随着电压的增加电流会快速增加．然而，当施以反向偏正向导通4压时，随反向偏压的增加几乎没3有任何电流，...
则耗尽区的产生电流占优势. 电流-电压特性 反向偏压 反向电流=扩散电流+产生电流 p-n结 半导体器件物理 Semiconductor Device Physics 本章内容 热平衡状态下的p-n结 耗尽区 耗尽层势垒电容 电流-电压特性 电荷储存与暂态响应 结击穿 异质结 p-n结(junction):由p型半导体和n型半导体接触形成的结. p-n结最...
1、物理专业英语词汇(P)p i n diode p i n 极管p i n junction p i n 结p n i p transistor p n i p 晶体管p n junction p n 结p n p junction p n p 结p n p n junction p n p n 结p n p n transistor p n p n 晶体管p p junction p p 结p type semiconductor p 型...
p i n diode pin二极管 p i n diode phase shifter p i n 二极管移相器 p i n photodiode p i n 光电二极管 p njunction5p n 结 p n junctionisolation6p n 结隔离 p n junctionrectification7p n 结型整流 p type conduction p 型导电性 ...