根据之前的报道,这些对应于N-H不同振动模式的特征峰,通常位于2900 cm-1和3500 cm-1之间。因此,主要分析了该波数范围内ATR-FTIR光谱的变化,因为N-H作为PTD-1中的氧化还原活性位点。如图 3A所示,2900-3500 cm-1之间峰的强度在初始放电过程中增...
图2h显示,在循环50000次后,FTIR光谱中仍然检测到C-N(1375和1265 cm−1)和C-O(1127 cm−1)的吸收峰,表明PVBPX的分子结构在长循环后保持完整。 图2、(a)带有PVBPX正极的AIBs示意图。(b)具有PVBPX和PX的AIBs在0.2 mV s−1扫速下的CV曲线。...
图4(a)Sb1/a-MoO3和(b)a-MoO3在0至−0.6 V范围内的电势依赖性原位FTIR光谱及其相应的3D图(c,d);(e,f)在−0.6 V的NORR电解过程中,(a)Sb1/a-MoO3和(b)a-MoO3的在线DEMS光谱;(g)所有可能的NORR途径的示意图。 图5(a)a-MoO3和Sb1/a-MoO3上交替N路径的自由能图;(b)NO在a-MoO3和Sb1...
图2g显示,PVBPX正极在50000次循环后保持88 mAh g−1的比容量,每个循环没有明显的容量衰减,在50000次后库仑效率保持99.8%。图2h显示,在循环50000次后,FTIR光谱中仍然检测到C-N(1375和1265 cm−1)和C-O(1127 cm−1)的吸收峰,表明PVBPX的分子结构在长循环后保持完整。
作者比较了MeO-4PADBC SAM和NiOx/MeO-4PADBC作为p-i-n PSC的HSL(图1C)。然后通过傅里叶变换红外(FTIR)光谱表明化学键的形成。然而,沉积在ITO/NiOx/MeO-4PADBC衬底上的钙钛矿比沉积在对照衬底上具有更大的晶体域,这是因为SAM分子通过更强大的三齿酸结合吸收,将更密集的锚定在ITO/NiOx底物上,这不仅可以降低...
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因此,这往往需要通过掺杂来增加电荷载流子的数量来填充空穴和改善设备应用的电荷导电性。广泛的分子掺杂剂已被用于有机半导体的p型和n型掺杂。然而,诸如掺杂效率低和掺杂不稳定等挑战仍然存在。复杂的化学结构的掺杂物需要昂贵的合成和纯化步骤。掺杂剂分子在掺杂过程中成为反离子,并留在主有机半导体中。由于掺杂剂和...
因此,主要分析了该波数范围内ATR-FTIR光谱的变化,因为N-H作为PTD-1中的氧化还原活性位点。如图 3A所示,2900-3500 cm-1之间峰的强度在初始放电过程中增加(即Step1:从 1.1(OCP)到0.5 V的负扫),这是由于吩噻嗪上产生了N-H。 图3、原位表征和理论分析了PTD-1电极在充放电过程中的结构演变。(A)电流密度vs....
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