1、 第6章理想P-N结的电流电压方程在这之前,我们已经讨论了P-N结在平衡时的特性,包括内建电势差%,的大小;利用一维的泊松方程求出的空间电荷区的电势分布;电场分布。之后,又讨论了在反向偏压情况下的空间电荷区的宽度变化及结电容变化。上述的所有结论都是在均匀掺杂和突变结近似的情况下得到的。有了这些知识...
上述的所有结论都是在均匀掺杂和突变结近似的情况下得到的。有了这些知识之后,就很容易推导出理想P-N结的电流电压关系。在推导理想P-N结的电流-电压关系之前,我们做以下四个基本假设。 1)耗尽层突变近似。空间电荷区的边界存在突变,耗尽区以外的半导体区域是电中性的(突变结近似含有均匀掺杂和边界杂质突变的意味)...
半导体器件物理6章p-n结的电流-电压方程第6章理想P-N结的电流-电压方程在这之前,我们已经讨论了P-N结在平衡时的特性,包括内建电势差V的大小;利用一维的泊松方程bi求出的空间电荷区的电势分布;电场分布。之后,又讨论了在反向偏压情况下的空间电荷区的宽度变化及结电容变化。上述的所有结论都是在均匀掺杂和突变结...
第6章理想P-N结的电流-电压方程在这之前,我们已经讨论了P-N结在平衡时的特性,包括内建电势差bi V 的大小;利用一维的泊松方程求出的空间电荷区的电势分布;电场分布。之后,又讨论了在反向偏压情况下的空间电荷区的宽度变化及结电容变化。上述的所有结论都是在均匀掺杂和突变结近似的情况下得到的。有了这些知识...
2理想pn结的模型及电流电压方程突变耗尽层条件外加电压和接触电势差都落在耗尽层上耗尽层中的电荷是由电离施主和电离受主的电荷构成耗尽层外的半导体是电中性的注入的少数载流子玻耳兹曼边界条件在边界层两端载流子分布满足玻耳兹曼统计分布方法 第7章p-n结 在热平衡状态下,对于本征半导体材料,其自由电子浓度和自由空穴...
1、第六章第六章 p-n p-n 结结本章内容 p-n结(5学时)p-n结及其能带图;p-n结的电流电压特性;p-n结的击穿重点:分析空间电荷区的形成过程;掌握p-n结接触电势差和载流子分布的计算;掌握p-n结电流电压方程式的推导;了解p-n结的齐纳击穿和雪崩击穿机理。难点:对非平衡态状态的p-n结的能带变化分析。6.1...
\rho=q(p-n+N_D-N_A)\approx q(N_D-N_A)\\ 空间电荷区的存在对PN结的电气特性有重要影响,它决定了PN结在外部电压施加时的行为。当施加外部正向偏压时,空间电荷区会变窄,允许更多的载流子通过,导致电流增加。而在施加反向偏压时,空间电荷区会变宽,几乎阻止了任何电流的通过,表现出二极管的整流特性。因此,...
金属-半导体整流结 正偏pn结和肖特基势垒结的电流-电压特性 金属-半导体的欧姆接触特性 非均匀掺杂pn结的特性 pn结的常规制备技术 1.pn结的基本结构 整个半导体材料时一块单晶半导体,其中掺入受主杂质原子的形成p区,相邻的另一区掺入施主杂质原子形成n区。分割pn区的界面为冶金结。
p-n结电流电压特性.ppt,第六章、 p-n结;主要内容:;主要内容:;3、p-n结电容 势垒电容、扩散电容 4、p-n结击穿 5、p-n结隧道效应;10、(1)写出理想PN结的I-V特性,即电流密度J与电压V的关系方程。分别在直角线性坐标系和半对数坐标系中,示意画出PN结电流-电压特性曲线。
第八章 p-n结 8.1 平衡p-n结特性 8.2 p-n结电流电压特性 8.3 p-n结电容 8.4 p-n结的击穿 8.5 p-n结隧道效应 10/41 8.2 p-n结电流电压特性1 8.2.1 p-n结中的电场和电势分布 N (x) N -突变结p+- n A 电荷分布 ( ) x ,qN- x ρ0x A− p ≤≤ N ( ) ( - Nx ρpq-N + D...