重点内容:PN结分类及结构、PN结能带图、电流电压特性、势垒宽度以及势垒电容、PN结击穿 一、PN结分类及结构从直观上来讲,PN结实际上就是一个P型半导体和一个N型半导体怼在一起形成的,但在制造的时候我们往往会…
当P型和N型半导体材料接触并形成PN结时,P型半导体中的空穴(正电荷载流子)和N型半导体中的电子(负电荷载流子)会因浓度梯度而发生扩散。空穴从P区扩散到N区,电子从N区扩散到P区。由于这种扩散,P区和N区的界面附近会失去自由载流子,并留下带正电的施主离子(N区)和带负电的受主离子(P区),这些固定不动的离子形...
PN简称击穿电压蠕变。是指P-N结发生雪崩时,击穿电压随雪崩时间而增加的现象。其特征是击穿电压随雪崩时间而增加;击穿特性较“硬”;随时间的延长,击穿电压最后趋向于一饱和值;击穿停止后需经过一定时间才能恢复最初的击穿电压数值。击穿电压蠕变是平面型半导体分立器件和集成电路经常发生的现象,它的出现与器件内部氧化...
第三章PN结热平衡状态下的Pn结耗尽区耗尽层势垒电容电流电压特性电荷储存与暂态响应结击穿异质结热平衡状态下的pn结:由p型半导体和n型半导体接触形成的结.p n结最重要的特性是整流性,即只容许电流流经单方 向。右图为典型硅pn结的电流.电压
26 硅 p n 结 n 区电阻率为 1 ·cm ,求 pn 结的雪崩击穿电压 ,击穿时的耗尽区宽度和最大电场强度 .〔硅 pn 结 Ci8.45 10 3
在反向偏置中,p-n结显示出来极电阻,只有a非常小的电流。如果相反的偏置电压过大时结会击穿,电流会流。设计硅p-n是可能的以这样的方式连接使其崩溃电压处于特定的期望值。这种p-n结称为齐纳二极管用作电压基准或在电环正向偏压的过电压保护器中,p-n结表现为a电阻指数下降应用电压。从0到0.5伏特硅pn结具有很高...
根据其内在的物理过程,p-n结击穿协剧田造载推精远穿可分为雪崩击穿和隧道击穿两种。由于p-n结具有这种特性,一方面可以用它制造半导体二极管,使之工作在一定电压范围之内作整流器等;另方面因击穿后并不损坏而可用来制造稳压管或开关管等器件。 词条信息
PN结，在PN上加正向电压，会导电；在PN上加反向电压，大电压加大到一定程度，会发生雪崩击穿。
P N 结介绍 PNJunctionMechanism 目一、二、三、四、五、录 PN结的形成PN结的形成PN结的单向导电性PN结的单向导电性PN结的温度特性PN结的温度特性PN结的发光效应PN结的发光效应PN结的击穿特性PN结的击穿特性 一、PN结的形成PN结的形成 PN结的定义：PN结的定义：结的定义在一块本征半导体中，掺以不同的杂质，使其一边...