For SPICE model information via the Worldwide Web: /www/product/spice.htm 2 Si2301DS SI2301 P沟道MOSFET 1.25W 2.5V Vishay Siliconix SPECIFICATIONS (T = 25C UNLESS OTHERWISE NOTED) J Limits Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Static Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS VGS =...
150MEM2311SG系列系列系列系列PMOSFETDMOSMEM2311SG -30V/-6ARDS(ON)=52m @VGS=-10V,ID=-6ARDS(ON)=67m @VGS=-4.5V,ID=-4A RDS(ON) SOP8 25.microne.com.cn025-84731186P-MOSFETMEM2311SGVer01主要参数及工作特性主要参数及工作特性主要参数及工作特性主要参数及工作特性:MEM2311SGParameterSymbolTest...
Device R DS(ON) < 70m Ω (V GS = -10V)R DS(ON) < 80m Ω (V GS = -4.5V)R DS(ON) < 120m Ω (V GS = -2.5V)V DS (V) = -30V Symbol V DS V GS I DM T J , T STG Symbol Typ Max 659085125R θJL 4360W Maximum Junction-to-Lead C Steady-State °C/...
Si2301DS Vishay Siliconix .vishay 1 SI2301 P沟道MOSFET 1.25W 2.5V SI2301 SI2301是二三级管的一种,属于场效应管。 主要参数: 晶体管类型 : P沟道MOSFET 最大功耗PD : 1.25W 栅极门限电压VGS : 2.5V(典型值) 漏源电压VDS :-20V(极限值) 漏极电流ID:-2.3A 通态电阻RDS on):0.145ohm(典型值) 栅极漏...
维沙伊·西林奇60伏特P通道MOSFET产品说明书 Vishay Siliconix Si7309DN Document Number: 73434S-83051-Rev. B, 29-Dec-08 www.vishay.com 1 P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available •TrenchFET ® Power MOSFET •Low Thermal Resistance Power...
WSD90P06DN56 高密度穿孔P型MOSFET数据手册说明书
MEM2311SG 系列系列 双双沟道沟道 系列系列 描述描述:: 特点特点:: 描述描述:: 特点特点:: MEM2311SG 系列系列 双 P 沟道增强型功率 -30V/-6A 系列系列 R =52mΩ@ V =-10V,I =-6A 场效应管 MOSFET ),采用高单元密度的 DMOS DS(ON) GS D R =67mΩ@ V =-4.5V,I =-4A DS(ON) GS D ...
三、MOSFET 選型要點: MOS 管是一種電壓驅動型開關功率器件,一般對 MOS 選型時主要關注其耐壓值、耐流值、耐溫值、開關損耗等參數。下表出了典型 MOS 管 Datasheet 中一些需要關注的參數及其意義: --影響關斷過程中的能量損耗和開關效率 在MOS 管的實際應用中, 需注意柵極驅動電壓、散熱、開關頻率、電流和電壓...
② P-MOS 不常用于低边开关配置,因为在低边配置中,它的栅极电压需要低于源极电压才能打开 MOSFET,这样在实际操作中比较困难。 三、MOSFET 选型要点: MOS 管是一种电压驱动型开关功率器件,一般对 MOS 选型时主要关注其耐压值、耐流值、耐温值、开关损耗等参数。下表出了典型 MOS 管 Datasheet 中一些需要关注的...
DMP2022LSS 单极性P型增益模式MOSFET说明书 DMP2022LSS Document number: DS31373 Rev. 6 - 2 1 of 6 www.diodes.com December 2017 © Diodes Incorporated Features ∙ Low On-Resistance ∙ 13mΩ @ V GS = -10V ∙ 16mΩ @ V GS = -4.5V ∙ 22mΩ @ V GS = -2.5V ∙...