图1 JMTP4435A的封装引脚与符号 图2 JMTP4435A的特性曲线 图3 MOS管开关电路 简易的MOS管开关电路,通过Switch_signal来控制通断(未加滤波)。 Q1为增强型PMOS,源极S接输入,漏极D接输出(开路输出加上拉电阻)。若VGS < VGS(th),此处VGS(th)为负值,PMOS导通,VD1=VS1=VCC。 Q2为增强型NMOS,漏极D接输入...
虹美功率拥有双芯合封的技术,使得一个HM607K芯片内同时包含P-MOS管和N-MOS管,H型电桥的上桥臂用P-MOS管,而下桥臂用N-MOS管,方便简化了控制电路的设计,同时使H型电桥控制电路的设计面积进一步缩小。超低漏源导通电阻RDS(ON)的高密度核芯设计,使产品在保持合理的功耗下将高能效发挥到极致。HM607K具有显著优...
P沟道增强型功率MOSFET是一种常见的功率场效应晶体管,它主要用于功率放大和开关电路。与N沟道增强型MOSFET相比,P沟道增强型MOSFET的工作原理相反。 在P沟道增强型MOSFET中,沟道区域是由P型材料形成的。当施加正电压到晶体管栅极上时,电场会吸引正电荷到栅极下方,导致栅极上方的P沟道区域中形成一个N型的导电通道。这个...
N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似。 b.区别: 耗尽型MOS管在vGS=0时,漏——源极间已有导电沟道产生,而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。 c.原因: 制造N沟道耗尽型MOS管时,在SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子),如图1(a)所示,因此即使...
类型 P沟道MOS管 型号 AO4409 一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G:gate 栅极;S:source 源极;D:drain 漏极。MOS管的source(源极)和drain(耗尽层)是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个...
华润微N沟道 650V MOS管高压大功率场效应晶体管CR45A4K 封装TO-252 ¥ 0.15 华润微N沟道MOS管低压大功场效应晶体管CRSS082N15N 封装TO-263 ¥ 0.13 商品描述 价格说明 联系我们 咨询底价 品牌: 华润微 最小包装量: 卷 封装: PDFN5*6 极性: N 漏源击穿电压(V): 40 漏极电流(A): ...
IRF120是随便取的一个，表示N管就行了，实际元件参数是要根据需要调整的
类型 1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss) -40V 连续漏极电流(Id) -10A 功率(Pd) 1.7W 阈值电压(Vgs(th)@Id) ±20V 封装/规格 SOP-8 包装 编带 最小包装量 4000 型号 SPM8P10N04 导通电阻 15mΩ 栅极电荷(Qg@Vgs) 55nC 输入电容(Ciss@Vds) 3300pF 反向传输电容(Crss@Vds)...
商品目录 场效应管(MOSFET) 服务 售后保障 可售卖地 全国 类型 P通道 型号 CRTD550P06N2-G 库存现货:CR4N60A4K,CRG40T120BK3SD,CRJQ30N60G2F,CRJQ74N60G2F,CRME0402D,CRSE095N06L2,CRSS028N10N,CRSS038N08N,CRSS042N10N,CRTS095N10N,CRSS052N08N,CRTS025NE4N,CRST055N08N,HGQ022N03...