在P型半导体材料上扩散磷元素,形成n+/p型结构的太阳电池即为P型电池片;在N型半导体材料上注入硼元素,形成p+/n 型结构的太阳电池即为N型电池片。 P型电池制作工艺相对简单,成本较低,主要是BSF电池和PERC电池。2015年之前,BSF电池...
使用离子注入技术可获得均匀性好、结深精确可控的p区和n区,电池正面无栅线遮挡,可消除金属电极的遮光电流损失,实现入射光子的最大利用化,较常规太阳电池短路电流可提高7%左右;由于背接触结构,不必考虑栅线遮挡问题,可适当加宽栅线比例,从而降低串联电阻且有高的填充因子;可对表面钝化及表面陷光结构进行最优化的设计,...
使用离子注入技术可获得均匀性好、结深精确可控的p区和n区,电池正面无栅线遮挡,可消除金属电极的遮光电流损失,实现入射光子的最大利用化,较常规太阳电池短路电流可提高7%左右;由于背接触结构,不必考虑栅线遮挡问题,可适当加宽栅线比例,从而降低串联电阻且有高的填充因子;可对表面钝化及表面陷光结构进行最优化的设计,...
本发明公开了一种P型IBC太阳能电池电极结构,包括主栅线,所述主栅线设置于太阳能电池上,所述主栅线的两侧均设置有“匚”形副栅线,所述“匚”形副栅线与主栅线留有间隙;每根所述主栅线一侧的“匚”形副栅线通过引栅线相连,相邻所述主栅线上的“匚”形副栅线交错设置、互不相连;所述引栅线通过引栅...
P-IBC 技术是 P 型高效技术的延续,它结合了 PERC 电池,TOPcon 电池和 IBC 电池的结构优点,将 P 型 电池的效率潜力发挥到最大,成本优势突出,目前也已具备量产性价比。 TOPCon 电池:全称隧穿氧化层钝化接触电池(Tunnel Oxide Passivating Contacts),是一种使用超薄隧穿氧化层和掺杂多晶硅层作为钝化层结构的太阳 电...
两种P-IBC电池结构 工艺流程①:刻蚀掩膜 工艺流程②:全激光 S01:对P型单晶硅基底进行化学清洗和碱抛光,去除硅基底表面的机械损伤层和污 染物,且使硅基底正背表面形貌较为平坦。 S02双面沉积氧化硅和非晶硅膜层:抛光后的基底正背面沉积氧化硅层和非晶硅 层。
摘要 本实用新型公开一种P型IBC电池结构,电池结构包括依次设置的正面减反射和钝化膜叠层、P型单晶硅基底、背面N型扩散层、背面减反射和钝化膜叠层以及设置于背面减反射和钝化膜叠层之上的正负金属电极;所述P型单晶硅基底的背面设有抛光面,在所述抛光面为背面N型扩散层。本实用新型提出的P型IBC电池结构,与Topcon高...
优选地,所述绒面结构为黑硅绒面结构。 经由上述的技术方案可知,本发明提供的p型ibc电池结构及其制作方法,在p型ibc电池制作过程中,使用p型单晶硅衬底,直接形成n+掺杂层,而在电极制作过程中,烧结形成金属电极时,同时形成p+层,无需现有技术中制作n型ibc电池过程中的b扩散工艺,避免了多次掩膜及清洗等工序,大大降低...
摘要 本实用新型公开了一种P型IBC太阳能电池电极结构,包括主栅线,所述主栅线设置于太阳能电池上,所述主栅线的两侧均设置有“匚”形副栅线,所述“匚”形副栅线与主栅线留有间隙;每根所述主栅线一侧的“匚”形副栅线通过引栅线相连,相邻所述主栅线上的“匚”形副栅线交错设置、互不相连;所述引栅线通...
摘要 本申请提供一种P型IBC电池结构及其制作方法,在P型IBC电池制作过程中,使用P型单晶硅衬底,直接形成N+掺杂层,而在电极制作过程中,烧结形成金属电极时,同时形成P+层,无需现有技术中制作N型IBC电池过程中的B扩散工艺,避免了多次掩膜及清洗等工序,**降低了IBC电池工艺流程的复杂度,可以兼容传统晶体硅生产线,制备工...