采用直流磁控溅射系统,在Si(100)衬底上制备了外延Mg 2Si半导体薄膜.通过XRD和场发射扫描电子显微镜(FESEM)对Mg 2Si薄膜的晶体结构和表面形貌进行表征,理论分析了Mg 2Si薄膜的消光特性对Mg 2Si薄膜外延取向的影响,得到了Mg 2Si薄膜的外延取向特性.结果表明,在Si(100)衬底上,外延Mg 2Si薄膜具有Mg 2Si(220)的...