右下方芯片为 2280258 PMIC 电源管理芯片,周边包裹了很多 MLCC 去耦电容。由于采用 DRAM-less 设计,没有设计专用 DRAM 缓存,不过得益于西部数据 HMB 技术支持,可以把主机的内存征用成缓存,顺序读取速度最高可达 5150MB/s,顺序写入速度最高可达 4850MB/s;随机读取速度最高达 650K IOPS、随机写入速度最高达 770K I...
依旧是全盘模拟SLC的HMB无缓存设计，主控则升级到了最新款的Polaris 3 A101-000171-A1（四通道），PCIe...
parm: max_host_mem_size_mb:Maximum Host Memory Buffer (HMB) size per controller (in MiB) (uint)parm: sgl_threshold:Use SGLs when average request segment size is larger or equal to this size. Use 0 to disable SGLs. (uint)parm: io_queue_depth:set io queue depth, should >= 2这...
主控是一款由西部数据自研的PCIe 4.0 x4四通道主控芯片,支持NVMe 1.4标准,S.M.R.T、TRIM、HMB等功能。 SN580支持西部数据独家的nCache4.0技术,它可以提高固态硬盘(SSD)的性能和耐久性。nCache4.0技术的原理是将一部分闪存颗粒(NAND Flash)作为缓存区域,用于存储小文件和频繁访问的数据,从而减少对主闪存颗粒的写入...
#modinfo MatthewWilcox<wil alias: sv*sd*bc*sc*i* alias:pci:v00001D1Dd sv*sd*bc*sc*i*alias: 4.17.2SMPmod_unload use_cmb_sqes:usecontroller'smemorybufferforI/OSQes(bool) max_host_mem_size_mb:umHostMemoryBuffer(HMB)sizepercontroller(inMiB)(uint) sgl_threshold:UseSGLswhenaverage...
科赋 CRAS C710 M.2 NVMe 固态硬盘采用 慧荣的 SM2263XT 主控芯片、HMB缓存设计，颗粒方面采用 IMFT 29F01T2ANCTH2 (B16A Die) 64-Layer 3D NAND 共四个，高速运作时带来更稳定的资料传输和耐用性质。测试环境：通过 CrystalDiskInfo 软件可以看到 科赋 CRAS C710 M.2 NVMe 1TB 的相关信息。其中...
这次我就想跟大家分享一款读7200MB/s,写6200MB/s 的佰维NV7200 PCIe 4.0 SSD产品,这款固态硬盘采用了联芸MAP1602+长存QLC颗粒主流方案,同时辅以HMB+SRAM融合Smart Cache技术,让他的整体实力都是目前PCIe 4.0 SSD硬盘第一梯队的。可能很多玩家对于佰维并不熟悉,其实佰维之前就一直是一家主要制作存储的大厂,之前...
在主控方面,金士顿NV1 500G采用来自群联的PS5013-E13主控,该主控为无外置缓存主控方案(HMB),支持NVME 1.3协议和PCIe Gen3 x4,具备4个NAND通道并可搭配TLC/QLC颗粒组建方案,其工作温度上限为70摄氏度,从图中可以看到500G版随机读写标称为2500MB/s和2100MB/s。
WD_BLACK SN850 1TB本身使用了外置缓存方案,缓存颗粒为一颗镁光的DDR4 SDRAM D9FWH,具体型号为MT40A512M16LY-075:E,工作温度限制为0~95℃;相较于DRAM-less+HMB技术的无缓存方案来说,其性能表现会有显著的提升,通常情况下,外置缓存方案的固件会在SLC CACHE空间上较为激进。
NVMe SSD和SN580一样均采用TLC闪存颗粒和自研主控，辅以Dram-less，凭借NVMe及PCIE4.0×4，支持HMB...