NVGS5120PT1G由onsemi(安森美)设计生产,立创商城现货销售。NVGS5120PT1G价格参考￥1.25。onsemi(安森美) NVGS5120PT1G参数名称:类型:1个P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):2.9A;导通电阻(RDS(on)):111mΩ@10V,2.9A;耗散功率(Pd):1.1W;阈值电压(Vgs(th)
电子管-场效应管-NVGS5120PT1G-ON-SOP-23+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。
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NVGS5120PT1G应用 •高压侧负载开关 •打印机、通信设备的电源开关 超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏装置如果超过这些限制中的任何一个，则不应禁用设备功能假设发生损坏，可靠性可能会受到影响。1.表面−安装在FR4板上，使用1平方英寸的焊盘尺寸（铜面积=1.127平方英寸[2盎司]含微量）2.表面−使用...
类似零件编号 - NVGS5120PT1G 制造商部件名数据表功能描述 ON SemiconductorNVGS5120PT1G 118Kb/6PPower MOSFET August, 2014 ??Rev. 1 More results “安森美半导体 家公开交易的公司,该公司设计,开发和生产各种半导体产品,用于各种应用,包括汽车,计算,消费品,工业和通信市场。
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NVGS5120PT1G MPS/美国芯源 QFN21 24+ 振荡器连接器微波衰减器芯 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。 特别提示:商品详情页中(含主图)以文字或者...
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型号:NVGS5120PT1G 系列:MOSFET(场效应管) 品牌:安森美/ON Description: Status: Channel Polarity: Configuration: V(BR)DSS Min (V): VGS Max (V): VGS(th) Max (V): ID Max (A): PD Max (W): RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ): RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ): RDS(on) ...