当电压传感器检测到当前电压监测点电压低于电压过低严重告警阈值时,产生该告警。 产生此告警的传感器为: CPUNDDR VPP CPUNDDR VDDQM 1.2V VDDQM 告警属性 告警ID 告警级别 可自动清除 0x0142FF02 严重 是 告警参数 参数 说明 N、arg1 表示CPU编号。
1.2V VDDQM Attribute Alarm ID Alarm Severity Auto Clear 0x0149FF02 Major Yes Parameters Name Meaning N, arg1 Slot number of the CPU. M Slot number of the VDDQ. arg2 Current reading of the sensor. arg3 Alarm threshold. Impact on the System Whe...
例4.4.1 电路如图4.4.3所示,设VDD =5 V,R =3.9 k,R =60 k,R =40 k。场效应管的参数为 V_(TN)=1V,K_n=0.8mA/V^
电源电压-最大 2.5 V 电源电压-最小 58 mg 可售卖地 全国 型号 AH180N-WG-7 技术参数 品牌: DIODES/美台 型号: AH180N-WG-7 封装: SMD/DIP 批号: 20+ 数量: 12000 制造商: Diodes Incorporated 产品种类: 板机接口霍耳效应/磁性传感器 RoHS: 是 工作电源电流: 8 uA 最大输出电流: 1 uA 工...
x 显卡不出pex_vdd供电，芯片是uP1727，3.3转pex_vdd 1v供电，测芯片的条件都满足，手头找不到同...
纳芯微一级代理商NS4168 ESOP8 封装 2.5W -I2S 数字输入单声道 D 类音频功率放大器 1 特性 输出功率 Po:2.5W(VDD=5V, RL=4Ω) 工作电压范围:3.0V～5.5V 0.2%THD+N(VDD=5V, RL=4Ω, Po=1W) 80%的效率(VDD=5V, RL=...查看全文 相关企业信息 公司名称:苏州纳芯微电子股份...
〔9分〕(W/L)N=10/0.5,(W/L)P=10/0.5,IREF=100μA,VDD=3V,加到M1、M2栅极的输入共模电平等于1.5V。〔1〕分别计算流过晶体管
vddvc0N.dll是Windows操作系统中的一个动态链接库文件,允许程序模块化和代码重用,减少重复代码的存在,从而节省存储空间并提高代码的效率。 如果vddvc0N.dll文件缺失或损坏,可能会导致应用程序无法正常启动或运行,系统会弹出报错提示框,提示vddvc0N.dll文件无法找到或丢失,程序无法启动,请重新安装。 二、适用范围 1...
/* Set VDD_SOC/VDD_DRAM to typical value 0.85v for nominal mode */ pmic_reg_write(p, BD71837_BUCK1_VOLT_RUN, 0xf); #else /* increase VDD_SOC/VDD_DRAM to typical value 0.95v for 3Ghz DDRs */ pmic_reg_write(p, BD71837_BUCK1_VOLT_RUN, 0x19); #endif /* Set VDD_SOC 0.85...
解:(1)I3=I4=50μA,I5=I6=200μA,I7=500μA(2)γ=0:VP=γ=:VTH1(VP=)=,VP1=;VTH2(VP1=)=,VP2=;VTH3(VP2=)=,VP3=;VTH4(VP3=)=,VP4=;VTH5(VP4=)=,VP4=……. 所以VP≈相关推荐 1(9分)(W/L)N=10/,(W/L)P=10/,IREF=100μA,VDD=3V,加到M1、M2栅极的输入...