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型号 NTS4001NT1G 技术参数 品牌: ON/安森美 型号: NTS4001NT1G 封装: NA 批号: 1936 数量: 20000 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SC-70-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 270 mA ...
NTS4001NT1G分立半导体产品晶体管-技术资料 技术参数 品牌:ON/安森美 型号:NTS4001NT1G 封装:SOT323 批号:22+ 数量:60000 制造商:ON Semiconductor 产品种类:MOSFET RoHS:是 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-70-3 通道数量:1 Channel 晶体管极性:N-Channel Vds-漏源极击穿电压:30 V Id-连续漏...
NTS4001NT1G全新原装 NTS0302JK 库存现货 NTRV4101PT1G 深圳市贯溢科技有限公司16年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.20 供应NTS4001NT1GSOT-323封装 贴片MOSFET场效应管全新现货 深圳市科嘉华电子有限公司1年 月均发货速度:暂无记录
商品型号 NTS4001NT1G 商品编号 C116738 商品封装 SOT-323-3 包装方式 编带 商品毛重 0.032克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)270mA 导通电阻(RDS(on))1.5Ω@4V,10mA ...
NTS4001NT1G由MSKSEMI(美森科)设计生产,立创商城现货销售。NTS4001NT1G价格参考¥0.1569。MSKSEMI(美森科) NTS4001NT1G参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):300mA;导通电阻(RDS(on)):1Ω@10V,300mA;耗散功率(Pd):313W;阈值电压(Vgs(th)
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NTS4001NT1G is a single N-channel small signal MOSFET. This device is AEC-Q101 qualified and PPAP capable. It is used in applications such as low-side load switch, Li-ion battery-supplied devices, cell phones, PDAs, DSC, buck converters, and level shifts. Low gate charge for ...
NTS4001NT1SC?703000 Units/Reel http://www.doczj.com/doc/c8ea82e26294dd88d0d26b47.html V (BR)DSS R DS(on) TYP I D Max 30 V *** 1.5 W @ 2.5 V 270 mA NTS4001NT1G SC?70(Pb?Free)3000 Units/Reel (T= 25°C unless otherwise stated)OFF CHARACTERISTICS ON CHARACTERISTICS...
型号 NTS4001NT1G DMN5L06WK-7 唯样编号 B-NTS4001NT1G-1 A36-DMN5L06WK-7 制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated 供应商 富昌电子 唯样自营 分类 通用MOSFET 小信号MOSFET 描述 N-Channel 50 V 2 Ohm MosFet Surface Mount - SOT-323-3 数据表 NTS4001NT1G.pdf DMN5L06WK-7.pdf RoHs ...