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NTMFS5C430NLT1G中文参数 通道类型N最大功率耗散110 W 最大连续漏极电流200 A晶体管配置单 最大漏源电压40 V最大栅源电压-20 V、+20 V 封装类型DFN最高工作温度+175 °C 安装类型表面贴装长度5.1mm 引脚数目5晶体管材料Si 最大漏源电阻值2.2 mΩ宽度6.1mm ...
NTMFS5C430NLT1G是一款N沟道MOSFET晶体管,由英飞凌infineon生产。它具有以下特点: 1. 低导通电阻:NTMFS5C430NLT1G的导通电阻很低,能够提供高效的电流传输。 2. 高开关速度:NTMFS5C430NLT1G的开关速度很快,能够快速地切换电路状态。 3. 低漏电流:NTMFS5C430NLT1G的漏电流很低,能够减少功耗和热损失。 4. 高...
唯样商城为您提供ON Semiconductor设计生产的NTMFS5C430NLT1G 元器件,主要参数为:5-DFN(5x6)(8-SOFL) N-Channel 110W 1.5mΩ@50A,10V -55°C~175°C ±20V 40V 200A,NTMFS5C430NLT1G库存充足,购买享优惠!
最大工作温度 125C 最小电源电压 3V 最大电源电压 6V 长度 1.1mm 宽度 6.7mm 高度 2.2mm 可售卖地 全国 型号 NTMFS5C430NLT1G 需要资料请联系客服,欢迎到恒信通电子商行购物! 主营产品: 各种原装进口元器件,包括集成电路,二三极 管,电源IC,IGBT模块,传感器,电阻电容,晶振,光电耦合,SMD,DIP系...
型号: NTMFS5C430NLT1G 封装: SO-8FL 批号: 22+ 数量: 50000 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SO-FL-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 200 A Rds On-漏源导通电阻: 2.2 mOhms Vg...
NTMFS5C430NLT1G由ON设计生产。NTMFS5C430NLT1G封装/规格:配置/单路:阈值电压/2V@250µA:晶体管类型/N沟道:功率耗散/3.8W:额定功率/3.8W:充电电量/70nC:反向传输电容Crss/72pF:栅极源极击穿电压/±20V:击穿电压/40V:极性/N-沟道:元件生命周期/Active:存储温度/-55℃~+175℃:引脚数/8Pin:高度/1.10...
0(1起订) 批次: - 数量: X5.02214(单价)「卷装(TR)/1500」 总价: ￥ 5.02214 品牌:ON(安森美) 型号:NTMFS5C430NLT1G 商品编号:G3519823 封装规格:DFN5_4.9X5.9MM 商品描述:MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=200A RDS(ON)=2.2mΩ@4.5V DFN5_4.9X5.9MM ...
商品型号NTMFS5C430NLT1G 商品编号C194661 商品封装DFN-5(5x6) 包装方式 编带 商品毛重 0.168克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 40V 连续漏极电流(Id) 200A 导通电阻(RDS(on)) 1.4mΩ@10V,50A 耗散功率(Pd) 110W ...