型号 UMW NTMD3P03R2G 封装 SOP-8 最小包装 3K/盘 数量 1000 批号 最新 发货地 深圳 可销售地区 全国 特色服务 一站式配单 产品说明 全新原装 品牌 UMW(友台半导体) 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同...
NTMD3P03R2/D NTMD3P03R2G 替代型号 型号 制造商 描述 替代类型 文档 NTMD3P03R2 ONSEMI Power MOSFET -3.05 Amps, -30 Volts 类似代替 NVMD3P03R2G ONSEMI 双P 沟道,功率 MOSFET,-30V,-3.05A,85mΩ 类似代替 IRF9335PBF INFINEON HEXFET Power MOSFET 功能相似 NT...
NTMD3P03R2G由ON设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过digikeychip1stop等渠道进行代购。 NTMD3P03R2G 价格参考￥ 4.24225 。 ON NTMD3P03R2G 封装/规格: SOT96-1, MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC。你可以下载 NTMD3P03R2G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功...
NTMD3P03R2G-VB是一款双P—Channel沟道MOSFET,专为要求高效P-Channel功率控制的电子应用而设计。以下是该产品的详细参数说明和应用简介: 1. **电源开关控制:** - 适用于电源开关、稳压器和DC-DC转换器。 - 双P—Channel设计使其在电源开关中表现卓越,提高功率控制效率。 2. **电动工具和电机控制:** - 在...
类似零件编号 - NTMD3P03R2G 制造商部件名数据表功能描述 ON SemiconductorNTMD3P03R2G 147Kb/6PPower MOSFET -3.05 Amps, -30 Volts February, 2006 ??Rev. 2 NTMD3P03R2G 116Kb/6PPower MOSFET Dual P-Channel SOIC-8 August, 2013 ??Rev. 4 ...
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号 NTMD3P03R2G-VB 商品编号 C710037 商品封装 SOP-8 包装方式 编带 商品毛重 0.137克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型2个P沟道 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)7.3A ...
型号:NTMD3P03R2G 品牌:onsemi(安森美) 封装:SOT96-1 描述: 国内价格 1+5.76202 10+4.90277 30+4.36785 100+3.81608 500+3.56757 1000+3.46227 库存:14 去购买 型号:NTMD3P03R2G 品牌:ON 封装:SOT96-1 描述: 国内价格 1+6.45751 10+5.59849 25+5.31011 100+3.99354 库存:200 去购买 型号:NTMD3P03R2G...
商品型号 NTMD3P03R2G 商品编号 C179620 商品封装 SOIC-8 包装方式 编带 商品毛重 0.126克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型2个P沟道 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)3.05A 导通电阻(RDS(on))85mΩ@10V,3.05A ...
型号: NTMD3P03R2G-VB 商品编号: DS39704462 封装规格: SOP-8 商品描述: 台积电流片,长电科技封装;是一款双通道功率场效应管,采用Trench工艺,适用于需要高功率和高耐压的应用场景,包括电源开关、电机控制、汽车电子和LED照明等领域的相关模块。SOP8;2个P—Channel沟道,-30V;-7.3A;RDS(ON)=35mΩ@VGS=10...
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