型号 NTJD4158CT1G PDF资料 电子管-场效应管-NTJD4158CT1G-ON-SC-88-4-2019+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线...
型号: NTJD4158CT1G 封装: SC-88 批号: 新年份 数量: 8660 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-363-6 通道数量: 2 Channel 晶体管极性: N-Channel, P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V, 20 V Id-连续漏极电流: 250 mA, 880 mA Rds On...
爱企查为您提供NTJD4158CT1G 场效应管 ONSEMI/安森美 封装SOT-363 批次22+,深圳市昭兴微电子有限公司售卖商品,可电话联系商家或留言询价。场效应管;场效应管批发;场效应管行情报价;场效应管价格;场效应管底价;场效应管图片;场效应管厂家;场效应管生产厂家;场效应
型号: NTJD4158CT1G-VB 商品编号: DS39724003 封装规格: SC70-6 商品描述: 台积电流片,长电封测。N+P沟道,±20V,2.5/-1.5A,RDS(ON),130/230mΩ@4.5V,160/280mΩ@2.5V,20Vgs(±V);±0.6~2Vth(V) 封装:SC70-6适用于电流控制电路、电源管理系统、电流反向保护、信号开关等多个领域和模块,为电...
型号: NTJD4158CT1G-VB 商品编号: DS39724003 封装规格: SC-70-6 商品描述: 台积电流片,长电科技封装;是一款双N型和P型沟道功率MOSFET,采用Trench工艺,适用于各种需要同时控制正负极电流的应用场合。SC70-6;N+P—Channel沟道,±20V;3.28/-2.8A;RDS(ON)=90/155mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V;Vth=±0.45~1...
NTJD4158CT1G ON Semiconductor (安森美) MOS管 ON SEMICONDUCTOR NTJD4158CT1G Dual MOSFET, N and P Complement, 250 mA, 30 V, 1 ohm, 4.5 V, 1.2 V 新查看详情 SC-70-6 26周 在产 2005年 ¥0.802 数据手册(12) 器件3D模型 规格参数
NTJD4158CT1G NTJD 系列 N & P沟道 30/20 V 1.5 mOhm 270 mW 小信号 MOSFET SOT-363 NTJD4158CT1G 数据手册 ECAD模型: 制造商: onsemi 标准包装: Product Variant Information section 3000/卷盘 Date Code: 2438 Product Specification Section onsemi NTJD4158CT1G - 产品规格 发货信息: 该产...
Buy NTJD4158CT1G ON ,丝印代码: TCDx, Learn more about NTJD4158CT1G Small Signal MOSFET 30 V/ -20 V, +0.25/-0.88 A, Complementary, SC-88; Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 6 LEAD; No of Pins: 6; Container: Tape and Reel; Qty per Container: 3000,MOSFET PFET 20
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NTJD4158CT1G Manufacturer ORIGINAL Other attributes Type Microcontroller Place of Origin Guangdong, China Manufacturing Date Code Standard Module/Board Type Standard Core Processor Standard Co-Processor Standard Speed Standard Flash Size Standard RAM Size Standard Connector Type Standard Size / Dimension...