品牌:VBsemi(微碧半导体)(授权代理) 商品型号:NTB25P06T4G-VB 产品状态:在售 封装规格:TO263 数据手册: 商品编号:L103744206 商品参数 商品类目 场效应管(MOSFET) 品牌 VBsemi(微碧半导体) 封装规格 TO263 包装 圆盘 根据勾选的参数属性查找商品。 海量...
原装进口NTB25P06G贴片 TO-263 P沟道 -25A -60V MOS场管 25P06G 深圳市南山区鹏顺微元件商行11年 月均发货速度:暂无记录 广东 汕头市潮南区 ¥12.00 NTB25P06T4G TO-263 P沟道 27.5A60V 120W MOS场效应管 深圳市龙岗区合芯意电子商行2年
NTB25P06 全新进口 TO-263 -60V-27.5A P型MOS场效应管现货可直拍 深圳市英派尔半导体实业有限公司 1年 月均发货速度: 暂无记录 广东 汕头市潮南区 ¥0.80 NTB25P06 TO-263 原装进口MOS管元件 专业测试 质量保证 深圳市宝安区灵达迅电子商行 9年 月均发货速度: 暂无记录 广东 汕头市潮南区 ...
NTB25P06的工作原理。 NTB25P06是一款N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管(FET),专为大电流和坚固耐用的应用而设计。它是一款采用TO-252封装的表面贴装器件(SMD)。NTB25P06的最大漏源电压(VDS)为60 V,最大漏电流(ID)为25 A。它还具有仅为6.5 mΩ的低导通电阻(RDS(on)),使其适用于高功率应用。 NTB25...
立创商城提供onsemi(安森美)的场效应管(MOSFET)NTB25P06T4中文资料,PDF数据手册,引脚图,封装规格,价格行情和库存,采购NTB25P06T4上立创商城
下载NTB25P06T4G下载 文件大小56.24 Kbytes 页6 Pages 制造商ONSEMI [ON Semiconductor] 网页http://www.onsemi.com 标志 功能描述PowerMOSFET-60V,-27.5A,P-ChannelD2PAK 类似零件编号 - NTB25P06T4G 制造商部件名数据表功能描述 VBsemi Electronics Co.,...NTB25P06T4G ...
商品型号 NTB25P06T4G-VB 商品编号 C879121 商品封装 TO-263 包装方式 管装 商品毛重 2.13克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个P沟道 漏源电压(Vdss)60V 连续漏极电流(Id)35A 导通电阻(RDS(on))- ...
NTB25P06T4 规格参数 是否Rohs认证: 不符合 生命周期: Obsolete 包装说明: CASE 418B-04, D2PAK-3 针数: 3 Reach Compliance Code: not_compliant HTS代码: 8541.29.00.95 风险等级: 5.12 雪崩能效等级(Eas): 600 mJ 外壳连接: DRAIN 配置: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE 最小漏源击穿电压: 60 V 最大...
产品名称:NTB25P06T4G 品牌: ON 包装方式:REEL 封装:TO263 标准包装数:800 库存渠道:联营合作库存 最小起订量:800 订购量: - + 库存量:200 提交询价 不可拆包 该型号可能还没有上传更新,请发询价到 陈经理 0755-83791199 价格梯度 售价(不含税) 技术...
型号 NTB25P06 制造商 ON Semiconductor 描述 功率MOSFET -60V -27.5A 82 mOhm Single P-Channel D2PAK 供电电压 4V-60V 电流 27.5A 封装类型 D2PAK-3类似商品 NTB5605P 晶体管 ON Semiconductor NVB25P06 晶体管 ON Semiconductor NTB45N06 晶体管 ON Semiconductor NTB60N06 晶体管 ON Semiconductor...