NSM2012 系列是纳芯微推出的集成电流路径的芯片级电流传感器,其主要应用于对65A 以下的电流做隔离测量。 数据手册 样品申请与购买 产品特性 • 2.5A~65A多档电流量程可选 • 3.3V/5V 单电源供电 • 交流/直流输入 • 1.2mOhm低导通阻抗 • ±1.5% 电流测量精度 ...
NSM2012-50B5R-DSPR 电子元器件 纳芯微/NOVOSENS 封装SOIC-8 批号22+ NSM2012-50B5R-DSPR 36800 纳芯微/NOVOSENS SOIC-8 22+ ￥2.9900元10~99 ￥1.9900元100~999 ￥0.9900元>=1000 深圳市宏诺德电子科技有限公司 3年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 NSM2012-10U5R-DSPR 电子元器件 纳芯...
NSM2012 基于霍尔原理,高精度,具有共模磁场抑 制,可达 3000V 隔离的电流传感器 Datasheet (CN) 1.0 Product Overview 比例输出或者固定输出 NSM2012 是一款集成路径电流传感器,具有 1.2mΩ 极低 的导通电阻,减少了芯片上的热损耗。 工作温度:-40℃ ~ 125℃ 原边导通电阻:1.2mΩ 纳芯微创新的...
• 2.5~65A Wide current range available • AC/DC input • 3.3V/5V single power supply • 1.2mOhm low Input conduction impedance • ±1.5% current measurement accuracy • 1.5us response time • 400kHz signal bandwidth • Withstand up to 4kA surge current (8μs /20μs surge ...
型号 NSM2012-20B5R-DSPR 技术参数 品牌: NOVOSENSE 型号: NSM2012-20B5R-DSPR 批号: 22 数量: 10 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作温度: 90C 最小电源电压: 2.5V 最大电源电压: 6V 长度: 9.5mm 宽度: 8.7mm 高度: 1.3mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具...
NSM2012-20B5R-DSPR NSM2012 R 版本是比例输出模式，比例输出的定义是在理想情况下如果电源 Vcc变化 1%，在理想情况下输出 Vout 也会同等变化 1%。在此模式下，输出计算公式如下：𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝑆𝑉𝑐𝑐 ∗ 𝐼 + 𝑄𝑉𝑂𝑉𝑐𝑐SVCC 是在当前供电电压下的灵敏度，QVOVCC 是在当前...
同时，NSM2012 内部采用双霍尔采样，外界带来的共模磁场可以被有效地减少，根据实测典型值，如果 100G 的共模磁场垂直作用在芯片上，只会在输出带来小于 1G 的误差（等效到输入）。由于 NSM2012 拥有良好抵御共模磁场的能力，因此在电机控制或者一些恶劣的电流测量环境中依然能保持极佳的性能。
品牌:NOVOSENSE(纳芯微) 商品型号:NSM2012-10B5R-DSPR 产品状态:在售 封装规格:8-SOIC 数据手册: 商品编号:L107042045 商品参数 商品类目 电流传感器 品牌 NOVOSENSE(纳芯微) 封装规格 8-SOIC 包装 整包装 根据勾选的参数属性查找商品。 海量现货,种类齐全 报价讯捷,闪电出货 原厂渠道,正品保证 批量采购...
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