纳芯微NSi6601C-DSWVR是是单通道隔离式栅极驱动器,旨在驱动许多应用中的IGBT,功率MOSFET和SiC MOSFET。它提供分立输出,分别控制上升和下降时间,并可以提供最大5A/5A的拉灌电流能力。
NSi6601C-DSWVR描述 NSi6601是单通道隔离式栅极驱动器,旨在驱动许多应用中的IGBT,功率MOSFET和SiC MOSFET。 它提供分立输出,分别控制上升和下降时间,并可以提供5A/5A的拉灌电流能力。 NSI6601提供SOP8(150 mil)或SOP8(300 mil)封装,根据UL1577可支持3000VRMS或5700VRMS隔离, 150kV/μs的最小共模瞬变抗扰度(CMT...
型号: NSI6601C-DSWVR 立即咨询 --- 产品参数 --- 峰值驱动电流 5/-5 阈值(V) 13 输入侧VCC电压 18 输出侧VCC电压 35 隔离耐压(kVrms 5.7 --- 产品详情 --- 深圳市港禾科技有限公司 产品描述 NSi6601是单通道隔离式栅极驱动器,旨在驱动许多应用中的IGBT,功率MOSFET和SiC MOSFET。 它提供分立...
在实际应用中,NSI6601C-DSWVR单通隔离式栅极驱动器芯片展现出了强大的适应性和兼容性。无论是在工业自动化控制、新能源领域,还是在电力电子设备中,它都能发挥出色的作用,为系统的高效运行提供有力支持。与可代换的UCC5320相比,NSI6601C-DSWVR在性能还具有更优越的性能和特点,能够满足不同用户对于栅极驱动芯片的...
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NSI6601 is available in SOP8 (150 mil) or SOP8 (300 mil) packages and supports system robustness with isolation of 3,000 VRMS or 5,700 VRMS according to UL1577 and minimum common-mode transient immunity (CMTI) of 150kV/μs. The maximum supply voltage of the driver is 32V, and the...
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