专利名称 激光雷达(智芯NS-200V) 申请号 2021305229696 申请日期 2021-08-12 公布/公告号 CN307148586S 公布/公告日期 2022-03-08 发明人 杨红娜,卢胜洪 专利申请人 成都航维智芯科技有限公司 专利代理人 许泽伟 专利代理机构 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 专利类型 外观设计 主分类号 10-05(13) 住所 四川...
[导读]美国国家半导体(NS)宣布推出200V功率放大器输出级驱动器系列的另一新型号。这款型号为LME49810的200V单芯片驱动器内置Baker补偿性钳位电路,可以执行许多分立元件的功能,使高功率音频放大器可以减省超过25颗分立元件。 美国国家半导体(NS)宣布推出200V功率放大器输出级驱动器系列的另一新型号。这款型号为LME4981...
Vr - 反向电压 : 200 V If - 正向电流: 700 mA 配置: Single Vf - 正向电压: 850 mV 最大浪涌电流: 15 A Ir - 反向电流 : 10 uA 恢复时间: 20 ns 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C 高度: 0.8 mm 长度: 2.6 mm 端接类型: Solder Pad 宽度: 1.6 mm 零件号别名: RF071M2S...
RBxx8BM200和RBxx8NS200是具有超低IR(反向电流)的肖特基势垒二极管(SBD),且实现了200V耐压的肖特基势垒二极管的新产品。此次新增加了8款机型,作为150V耐压RBxx8系列的肖特基势垒二极管的扩展产品阵容。开发的背景是为了降低200V耐压应用中的损耗(提高效率),实现小型化并提高可靠性(比如抗热失控能力)。 主要目标应用...
设计人员可实现能有效抵抗噪声的可靠解决方案,它具有大于200V/ns的业内超高共模瞬态抗扰性(CMTI)和低于3pF的初级到次级的电容,因此可承受极高的电压瞬变。 VSFF原来可能只容纳2芯,现在能在一个空间里装4个连接器,于是就有了8芯,效率随之提升了4倍,因此它使得连接器件的尺寸得以缩小,以适应未来高密度的需求。
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都),面向包括xEV在内的动力传动系统等车载系统,开发出200V耐压的超低IR※1肖特基势垒二极管※2(以下简称“SBD”)“RBxx8BM200”“RBxx8NS200”。 RBxx8BM/NS200是RBxx8系列的新产品,该系列产品是可在高温环境下工作的超低IR SBD,已经在日本国内的汽车市场取得非常优异的...
200V/ns 的此 CMTI 表明、我们的器件能够处理高达200V/ns 的此变化、而不会出现误导通的风险。 此外、我们的器件具有150V/ns 的最大导通压摆率、该值在200V/ns CMTI 额定值范围内、因此在半桥中一起使用我们的器件时不会出现问题。 此致! K·沃尔夫...
锴威特申请共模瞬态抗扰度测试电路专利，实现测试信号的变化速度满足±10V/nS~±200V/n的测试要求 金融界2023年12月16日消息，据国家知识产权局公告，苏州锴威特半导体股份有限公司申请一项名为“共模瞬态抗扰度测试电路、方法、测试装置和存储装置“，公开号CN117233584A，申请日期为2023年11月。专利摘要显示，本发明...
输入电压范围:2.8V至28V 内置21.9V和12.4V过压阈值可选 最大50ns过压关断响应时间 内置±200V浪涌保护 定制的OTG模式 VBUS动态放电管理 ±4KV ESD保护能力(HBM) WLCSP20封装 ET9668引脚信息 采用WLCSP20球封装,尺寸1.88mm * 2.34mm,工作温度范围为-40℃至85℃。
批发2024冬 原装场效应管 P0920BD STD7NS20 200V MOS 询价单编号:ZGC5640***735 询价单有效期:至2024***入驻工厂可见 联系人及电话:喻女士 ***入驻工厂可见 订单备注:***入驻工厂可见 采购类目:N沟道MOSFET 采购类型:一次 货物类型:大货 收货地址:广东 广州 阿里巴巴已找到海量相关的产品参数/图片/价格/评...