18、t name="peak collector current" max(curve(abs(v."base"),abs(i."collector")extract name="peak gain" max(i."collector"/ i."base")extract name="max fT" max(g."collector""base"/(2*3.1415*c."base""base")# plot the resultstonyplot bjtex03_2.log -set bjtex03_2.setquit人人...
最终从IV曲线中提取出包括fT和 Gain在的设计参数. 三、在该例中将使用: (1)多晶硅发射双极器件的工艺模拟; (2)在DEVEDIT中对结构网格重新划分; (3)提取fT和peak gain. ATLAS中的解过程: 1. 设置集电极偏压为2V. 2. 用 log语句用来定义Gummel plot数据集文件. 3.用 extract语句提取BJT的最大增益"maxgain...
load inf=bjt_4.str master log outf=bjt_4.log solve vcollector=0.0 vstep=0.1 vfinal=5.0 name=collector load inf=bjt_5.str master log outf=bjt_5.log solve vcollector=0.0 vstep=0.1 vfinal=5.0 name=collector # Plot Family of Ic/Vce curve tonyplot -overlay bjt_1.log bjt_2.log bjt_3...
3.用extract语句提取BJT的最大增益"maxgain"以及最大ft,"maxft". Gummelplot:晶体管的集电极电流Ic、基极电流Ib与基极-发射极电压Vbe关 系图(以半对数坐标的形式). 四、制造工艺设计 4.1.首先在ATHENA中定义0.8um*1.0um的硅区域作为基底,掺杂为均匀的砷 ...
微电子器件课程设计报告题 目:NPN型双极晶体管班级:微用0802班学号:080803206姓 名:子忠指与老师:剑霜2011年6月6日一目标结构NPN 型双极晶体管二目标参数最终从IV曲线中提取出包括fT和Gain在的设计参数.三在该例中