NP2815EDR上海南麟电子.pdf,NP2815EDR 20V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description Schematic diagram The NP2815EDR uses advanced trench D1 D2 technology to provide excellent RDS(ON) ,low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5
商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 NP2815EDR、 DFN2、 2、 双P管、 场效应管 商品图片 商品参数 品牌: 南麟 封装: DFN2*2-6L-A 批号: 2022 数量: 100000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作温度: 130C 最小电源电压: 2.5V...