NP2016dr_E南麟原厂规格书.pdf,NP2016 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description Schematic diagram The NP2016 uses advanced trench technology to D provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This devic
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NP2016DR 由 JG-SEMI/台湾金锆 设计生产,华强电子网国产品牌站提供NP2016DR相关产品信息及供货商联系方式。JG-SEMI/台湾金锆 NP2016DR 封装/规格:DFN2*2-6L-B , 询价提供规格书。您可以在 MOS(场效应管) NP2016DR 规格书,Datesheet,PDF数据手册中了解NP2016DR详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
品牌名称natlinear(南麟) 商品型号 NP2016DR-N-G 商品编号 C2991144 商品封装 DFN-6L-B(2x2) 包装方式 编带 商品毛重 0.032克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss)20V 连续漏极电流(Id)16A ...
NP2016DR Series 产品指数品牌=上海南麟封装形式=DFN2*2-6L类型=N-CHVds(V)=20VID(A)=16AVGS(±V)=±12VRdson@4.5V Tpy=9mΩRdson@2.5V Typ=11.5mΩ 产品详情 20V 16A N沟道 DFN2*2-6L 产品特性 应用领域 产品技术资料NP2016DR 上一篇:NP150S04D6 ...
制造商编号 0 型号 NP2016DR 品牌 封装 DFN2*2-6L-B 批号 33 销售价 ¥33.0000 现货库存 0PCS 购买数量 +- =￥33.0000 阶梯价 数量价格 50+¥32.340 100+¥31.350 1000+¥30.690 5000+¥29.700 10000+¥29.040