np180n04tug-e1-ay

2025-03-25 04:56:08

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NP180N04TUG-E1-AY 详细参数_未分类_Renesas_唯样商城

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NP180N04TUG-E1-AY_RENESAS(瑞萨)/IDT_NP180N04TUG-E1-AY中文资料...

商品型号 NP180N04TUG-E1-AY 商品编号 C3281634 商品封装 TO-263-6 包装方式编带商品毛重 1克(g) 商品参数资料纠错查看类似商品属性参数值商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道漏源电压(Vdss)40V 连续漏极电流(Id)180A 导通电阻(RDS(on))1.5mΩ@10V,90A ...
Fairchild Semiconductor 分立半导体产品 NP180N04TUG-E1-AY

FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物 FET功能 : 逻辑电平门漏源极电压(Vdss) : 40V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 180A(Tc) 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 1.5 毫欧 @ 90A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 390nC @ 10V 不同Vds时的...
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