本发明公开了一种RFLDMOS工艺中的ESD器件,ESD器件为NMOS器件,在多晶硅栅两侧的P阱中形成有N型轻掺杂漏注入区和N型源漏注入区,在多晶硅栅的漏端一侧的P阱中还形成有用于降低ESD器件的击穿电压的第二P型轻掺杂漏注入区,第二P型轻掺杂漏注入区的结深大于N型源... 段文婷,刘冬华,石晶,... 被引量: 0发表:...
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