RF505BGE6S,BD25IC0W,BM63563S-VA,BDJ2FC0W,ML9092-03,ML9092-02,USB 500J,ML9092-04,RH6L040BG,USB 500U,RF01VM2S,BD46EXX5G-M SERIES,FMY1A,BM2P054F,BD7691FJ,BD82004FVJ-M,USB 500T,SML-522MY8W,DAN222ZM,BM2P060MF-Z,BD15HA5MEFJ-LB,RFS60TZ6S,UMZ18NFM,BD48LXXG,DTC114YCA,...
AM2N7002T是AIT推出的一款小信号NMOS,采用SC-89封装,尺寸仅为1.6*1.6mm,非常适合于小型化产品。 产品特性 •低栅极电荷以实现快速开关 •1.6*1.6mm小封装 •栅极有ESD防护 •ESD防护等级为2000V •SC-89封装 产品引脚定义及内部框图 关键电气参数 •漏源击穿电压V(BR)DSS大于30V •栅源漏电流Igss...
BGA622H6820 RF放大器 Infineon英飞凌 BGA622H6820 3000 Infineon英飞凌 SOT-343 21+ ￥2.1500元>=3000 个 普拉亚(东莞)电子科技有限公司 4年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 TI/德州仪器 电流检测放大器 INA199A1DCKR 电流灵敏放大器 Vltg Output,Hi/Low Msmt,Bi-Dir 0-DriftINA...
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50欧姆dsa的工作频率泛围从接近dc到最高为6 ghz,具有杰出的低频率特性,输入ip3为+58 dbm ,抗噪性极佳,其esd容差也极好,为500v hbm。 它们的典型工作电压为3.3v 或者 5v,耗电少。单一器件可以应用在rf和if无线电上,可节省板空间。 ltc1666 采用 ±5v 电源工作,可通过配置以提供高达 10ma 的全标度输出电流...
NMOS管Snapback特性ESD仿真模型研究
基于90nm低功耗NMOS工艺射频器件的版图优化
原装RF耦合器 晶体管 电容器 电阻器 电感器 锡 SI2337DS-T1-E3 晶振 场效应管 保险丝 距您较近 官方品牌 北京京北通宇电子元件有限公司 5年 查看详情 ￥0.56/pcs 广东东莞 晶体管 电阻器 电感器 AA-16.000MALE-T 晶振 磁珠 接线座 卡槽 三极管 连接器 距您较近 官方品牌 北京京北通宇电子元件有限公...
It has been found that the device degradation model of a single-finger gate MOSFET could be applied for a multi-finger gate RF-nMOSFET. The reduction of the cut-off frequency and maximum frequency after stress can be explained by the decrease of transconductance and the increase of drain ...
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