NMOS管(N-Metal-Oxide-Semiconductor)是一种电子器件,其栅极C-V曲线(电容-电压曲线)是描述其栅极电容与栅极电压之间关系的曲线。 在C-V曲线上,可以观察到几个重要的特性: 1.平坦区:在较低的电压范围内,曲线相对平坦,表明栅极电容变化较小。这表明NMOS管在此区域内的性能较为稳定。 2.斜坡区:随着电压的增加,...
nmos理想结构cv曲线 nMOS（n型金属氧化物半导体）理想结构的CV曲线描述了电容与电压之间的关系，即电容-电压（C-V）特性曲线。在理想情况下，nMOS的C-V曲线如下：1.阈值电压（Threshold Voltage）：在零偏压时，电容为零，因为没有电压应用在栅极上。在阈值电压之前，电容随着栅极电压的增加而线性增加。2.阈值电压...
此时电容 C_{GB} 表示出来的特性是:由两个串联的电容,氧化电容 C_{ox} 和耗尽电容 C_{dep} 组成,因此总电容倒数可表示为 \frac{1}{C_{GB}}=\frac{1}{C_{ox}}+\frac{1}{C_{dep}} ,耗尽电容为耗尽区宽度的函数即 C_{dep}=\frac{\varepsilon_{si}}{x_{d}} 3)反型:大信号 V_{G} ...
电压VD 40V 电流ID 100A RDS(ON) 6.5mΩ VGS ±20V 数量 157100 批号 新年份 可售卖地 全国 类型 N沟道MOS管 型号 85N04 LED用MOS管85N04的管脚图: LED用MOS管 85N04的用途: 电池保护负载开关UPS不间断电源 LED用MOS管 85N04的极限参数: (如无特殊说明,TC=25℃)漏极-源极电压 VDS...
1)画出该MOS结构的C—V曲线;2)假设在Si与氧化层界面存在成均匀分布界的界面态(态密度为Nμ),其中在本征费米能级Ei以上为类受主界面态,以下为类施主界面态,给出平带电压VFB的表达式,示意画出平带时的能带图;3)如果在Si与氧化层界面存在均匀分布的界面态的同时,在氧化层中距Si界面tox/3处存在负的固定电荷Qf...
40VNMOS管 80N04的极限参数: (如无特殊说明,TC=25℃) 漏极-源极电压 VDS:40V 栅极-源极电压 VGS:±20V 漏极电流-连续 ID:80A 漏极电流-脉冲 IDM:120A 单脉冲雪崩能量 EAS:76.1mJ 雪崩电流 IAS:39A 总耗散功率 PD:44.6W 结到环境的热阻 RθJA:62℃/W ...
C-V Model gate capacitance (CGS, CGD, CGB)— Gate capacitance model No intrinsic capacitance (default) | Meyer gate capacitances | Charge conservation capacitances Options for modeling the gate capacitance: No intrinsic capacitance — Do not include gate capacitance in the model. Meyer gate capaci...
C-V Model gate capacitance (CGS, CGD, CGB)— Gate capacitance model No intrinsic capacitance (default) | Meyer gate capacitances | Charge conservation capacitances Options for modeling the gate capacitance: No intrinsic capacitance — Do not include gate capacitance in the model. Meyer gate capaci...
参数 100V 8A 结电容 405pF 开启电压 1.6V 特点 小体积 散热好 应用 车灯照明车载电子等 可售卖地 全国 类型 N沟道 型号 MOSFET 小体积 散热好 强烈推荐 MOS管型号:HC1033D参数:100V 8A 封装:DFN3333内阻:143mR(Vgs=10V)150mR(Vgs=4.5V)结电容:405pF开启电压:1.6V应用领域:车灯照明、车载电...
产品标题:MOS管选型 8N10 SOT-23-3L 大功率场效应管 100VNMOS 咨询热线:0769-89027776 产品详情 大功率场效应管 8N10的产品特点: VDS=100V ID=8A RDS(ON)<100mΩ@VGS=10V(Type:80mΩ) 大功率场效应管 8N10的极限参数: (如无特殊说明,TC=25℃) ...